Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ100N03MSGATMA1 за ціною від 14.88 грн до 59.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.61 грн
26+ 23.52 грн
100+ 20.72 грн
250+ 19 грн
500+ 17 грн
1000+ 15.21 грн
3000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
483+25.33 грн
529+ 23.14 грн
534+ 22.91 грн
573+ 20.6 грн
1000+ 17.06 грн
3000+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 483
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.92 грн
500+ 26.01 грн
1000+ 18.72 грн
5000+ 18.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 39.09 грн
100+ 27.09 грн
500+ 21.25 грн
1000+ 18.08 грн
2000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ100N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360905.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.53 грн
10+ 43.07 грн
100+ 25.96 грн
500+ 21.73 грн
1000+ 17.42 грн
2500+ 17.14 грн
25000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.19 грн
16+ 49.77 грн
100+ 32.92 грн
500+ 26.01 грн
1000+ 18.72 грн
5000+ 18.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz100n03msg-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній