![BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/12/0/1/15/435/smn_/manual/pg-tsdson-8.jpg)
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ900N20NS3GATMA1 за ціною від 46.93 грн до 165.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 62.5W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 44499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товар відсутній |