Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ086P03NS3GATMA1
BSZ086P03NS3GATMA1

BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz086p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ086P03NS3GATMA1 за ціною від 21.4 грн до 78.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.57 грн
10+ 51.98 грн
100+ 36 грн
500+ 28.23 грн
1000+ 24.02 грн
2000+ 21.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ086P03NS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3360874.pdf MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.31 грн
10+ 51.85 грн
100+ 35.54 грн
500+ 30.11 грн
1000+ 23.07 грн
5000+ 23 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+78.57 грн
172+ 70.25 грн
210+ 57.62 грн
224+ 52.19 грн
500+ 42.92 грн
1000+ 34.07 грн
5000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 154
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz086p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
товар відсутній