![BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/9/78/smn_/manual/bsz034n04lsatma1.jpg)
BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 24.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSZ034N04LSATMA1 за ціною від 27.57 грн до 76.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |