BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ180P03NS3EGATMA1 за ціною від 14.53 грн до 47.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 17487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
на замовлення 6096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |