Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (19922) > Сторінка 230 з 333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV IXYS IXBA16N170AHV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1863.17 грн
2+ 1698.93 грн
3+ 1635.13 грн
IXBF20N300 IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4467.48 грн
10+ 4211.13 грн
IXBF20N360 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n360_datasheet.pdf.pdf IXBF20N360 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF40N160 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf IXBF40N160 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF42N300 IXBF42N300 IXYS IXBF42N300.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS IXBH(T)10N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+883.74 грн
2+ 680.29 грн
5+ 619.38 грн
30+ 608.06 грн
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS IXBA(H)10N300HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5370.92 грн
30+ 5053.36 грн
IXBH12N300 IXBH12N300 IXYS IXBH12N300_IXBT12N300.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH16N170A IXBH16N170A IXYS IXBH(T)16N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 40A
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH24N170 IXBH24N170 IXYS IXBH(t)24N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1832.21 грн
2+ 1670.88 грн
30+ 1581.12 грн
IXBH42N170 IXBH42N170 IXYS IXBH42N170_IXBT42N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1915.71 грн
2+ 1746.87 грн
30+ 1630.78 грн
IXBH42N170A IXBH42N170A IXYS IXBH(t)42N170A.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1941.98 грн
2+ 1770.39 грн
10+ 1680.43 грн
30+ 1642.97 грн
IXBH6N170 IXBH6N170 IXYS IXBH6N170_IXBT6N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBK55N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf IXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7655.59 грн
IXBK64N250 IXBK64N250 IXYS IXBK(X)64N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBK75N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_75n170_datasheet.pdf.pdf IXBK75N170 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4357.45 грн
IXBN42N170A IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2846.35 грн
10+ 2707.61 грн
IXBN75N170 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf IXBN75N170 IGBT modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6949.09 грн
IXBN75N170A IXBN75N170A IXYS 98938.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4502.19 грн
IXBOD1-06 IXYS L024.pdf IXBOD1-06 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-07 IXYS L024.pdf IXBOD1-07 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-08 IXYS IXBOD1.pdf IXBOD1-08 Thyristors - others
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1332.18 грн
2+ 933.86 грн
3+ 883.34 грн
IXBOD1-09 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet IXBOD1-09 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-10 IXYS L024.pdf IXBOD1-10 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-12R IXYS L024.pdf IXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5312.22 грн
IXBOD1-12RD IXYS L024.pdf IXBOD1-12RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-13R IXYS L024.pdf IXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5417.63 грн
IXBOD1-13RD IXYS L024.pdf IXBOD1-13RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14R IXYS L024.pdf IXBOD1-14R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14RD IXYS L024.pdf IXBOD1-14RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15R IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-15R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15RD IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-15RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-16R IXYS L024.pdf IXBOD1-16R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-16RD IXBOD1-16RD IXYS IXBOD1_v2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+6732.18 грн
IXBOD1-17R IXYS L024.pdf IXBOD1-17R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-17RD IXYS L024.pdf IXBOD1-17RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-18R IXYS L024.pdf IXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5312.22 грн
IXBOD1-18RD IXYS L024.pdf IXBOD1-18RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-19R IXYS L024.pdf IXBOD1-19R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-19RD IXYS L024.pdf IXBOD1-19RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20R IXYS L024.pdf IXBOD1-20R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20RD IXYS L024.pdf IXBOD1-20RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-21R IXBOD1-21R IXYS IXBOD1_v2.pdf Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5813.73 грн
20+ 5534.63 грн
IXBOD1-21RD IXYS L024.pdf IXBOD1-21RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22R IXYS L024.pdf IXBOD1-22R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22RD IXYS L024.pdf IXBOD1-22RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23R IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-23R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23RD IXYS L024.pdf IXBOD1-23RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-24R IXYS L024.pdf IXBOD1-24R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25R IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-25R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25RD IXYS IXBOD1_DS.pdf IXBOD1-25RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-26R IXYS L024.pdf IXBOD1-26R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-26RD IXYS L024.pdf IXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+7139 грн
IXBOD1-28R IXYS L024.pdf IXBOD1-28R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-28RD IXYS L024.pdf IXBOD1-28RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30R IXYS L024.pdf IXBOD1-30R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30RD IXYS L024.pdf IXBOD1-30RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-32R IXYS L024.pdf IXBOD1-32R Thyristors - others
товар відсутній
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV.pdf
IXBA16N170AHV
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1863.17 грн
2+ 1698.93 грн
3+ 1635.13 грн
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBF20N300
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4467.48 грн
10+ 4211.13 грн
IXBF20N360 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n360_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXBF20N360 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF40N160 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf40n160_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXBF40N160 THT IGBT transistors
товар відсутній
IXBF42N300 IXBF42N300.pdf
IXBF42N300
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH10N170 IXBH(T)10N170.pdf
IXBH10N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+883.74 грн
2+ 680.29 грн
5+ 619.38 грн
30+ 608.06 грн
IXBH10N300HV IXBA(H)10N300HV.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5370.92 грн
30+ 5053.36 грн
IXBH12N300 IXBH12N300_IXBT12N300.pdf
IXBH12N300
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Turn-on time: 460ns
Turn-off time: 705ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 160W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 62nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH16N170 IXBH16N170_IXBT16N170.pdf
IXBH16N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 72nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH16N170A IXBH(T)16N170A.pdf
IXBH16N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 40A
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH20N300
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBH24N170 IXBH(t)24N170.pdf
IXBH24N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 190ns
Turn-off time: 1285ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1832.21 грн
2+ 1670.88 грн
30+ 1581.12 грн
IXBH42N170 IXBH42N170_IXBT42N170.pdf
IXBH42N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 42A; 360W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 42A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 224ns
Turn-off time: 1.07µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1915.71 грн
2+ 1746.87 грн
30+ 1630.78 грн
IXBH42N170A IXBH(t)42N170A.pdf
IXBH42N170A
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 21A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 308ns
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1941.98 грн
2+ 1770.39 грн
10+ 1680.43 грн
30+ 1642.97 грн
IXBH6N170 IXBH6N170_IXBT6N170.pdf
IXBH6N170
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 75W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 17nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBK55N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXBK55N300 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7655.59 грн
IXBK64N250 IXBK(X)64N250.pdf
IXBK64N250
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 64A; 735W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 400nC
Technology: BiMOSFET™; FRED
Case: TO264
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 632ns
Turn-off time: 397ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBK75N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_75n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXBK75N170 THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4357.45 грн
IXBN42N170A IXBN42N170A.pdf
IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 21A
Power dissipation: 313W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2846.35 грн
10+ 2707.61 грн
IXBN75N170 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbn75n170_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXBN75N170 IGBT modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6949.09 грн
IXBN75N170A 98938.pdf
IXBN75N170A
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 42A; SOT227B
Case: SOT227B
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Technology: BiMOSFET™
Max. off-state voltage: 1.7kV
Application: for UPS; motors
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4502.19 грн
IXBOD1-06 L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-06 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-07 L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-07 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-08 IXBOD1.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-08 Thyristors - others
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1332.18 грн
2+ 933.86 грн
3+ 883.34 грн
IXBOD1-09 media?resourcetype=datasheets&itemid=bdb2ff13-fe36-4f76-b330-b8cce34a17c6&filename=littelfuse-power-semiconductors-ixbod1-datasheet
Виробник: IXYS
IXBOD1-09 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-10 L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-10 Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-12R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-12R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5312.22 грн
IXBOD1-12RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-12RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-13R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-13R Thyristors - others
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5417.63 грн
IXBOD1-13RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-13RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-14R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-14RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-14RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15R IXBOD1_DS.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-15R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-15RD IXBOD1_DS.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-15RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-16R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-16R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-16RD IXBOD1_v2.pdf
IXBOD1-16RD
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x2; 0.2A; BOD; THT; bulk; 1.6kV
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: version RD (internal diode)
Case: BOD
Breakover voltage: 1.6kV
Type of thyristor: BOD x2
Mounting: THT
Max. load current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6732.18 грн
IXBOD1-17R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-17R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-17RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-17RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-18R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-18R Thyristors - others
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5312.22 грн
IXBOD1-18RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-18RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-19R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-19R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-19RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-19RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-20R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-20RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-20RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-21R IXBOD1_v2.pdf
IXBOD1-21R
Виробник: IXYS
Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: BOD x3; 0.9A; BOD; THT; bulk; 2.1kV
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Breakover voltage: 2.1kV
Type of thyristor: BOD x3
Case: BOD
Max. load current: 0.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5813.73 грн
20+ 5534.63 грн
IXBOD1-21RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-21RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-22R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-22RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-22RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23R IXBOD1_DS.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-23R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-23RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-23RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-24R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-24R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25R IXBOD1_DS.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-25R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-25RD IXBOD1_DS.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-25RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-26R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-26R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-26RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-26RD Thyristors - others
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7139 грн
IXBOD1-28R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-28R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-28RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-28RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-30R Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-30RD L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-30RD Thyristors - others
товар відсутній
IXBOD1-32R L024.pdf
Виробник: IXYS
IXBOD1-32R Thyristors - others
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]