IXBH16N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 931.79 грн |
| 30+ | 726.7 грн |
| 120+ | 683.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH16N170 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3, Mounting: THT, Turn-on time: 220ns, Turn-off time: 940ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Pulsed collector current: 120A, Collector current: 16A, Gate-emitter voltage: ±20V, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 72nC, Technology: BiMOSFET™; FRED, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBH16N170 за ціною від 655.1 грн до 1003.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH16N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 1700V 25A |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXBH16N170 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXBH16N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 220ns Turn-off time: 940ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 120A Collector current: 16A Gate-emitter voltage: ±20V Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 72nC Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXBH16N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 220ns Turn-off time: 940ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 120A Collector current: 16A Gate-emitter voltage: ±20V Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 72nC Technology: BiMOSFET™; FRED Case: TO247-3 |
товар відсутній |