![IXBH20N300 IXBH20N300](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXBH20N300 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 3000V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2150.8 грн |
30+ | 2036.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH20N300 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXBH20N300 за ціною від 2291.83 грн до 3289.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBH20N300 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BiMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXBH20N300 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 105nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXBH20N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 105nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |