![IXBH16N170A IXBH16N170A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXBH16N170A IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170a_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1700V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 961.94 грн |
30+ | 749.88 грн |
120+ | 705.76 грн |
510+ | 600.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH16N170A IXYS
Description: IGBT 1700V 16A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXBH16N170A за ціною від 801.45 грн до 1035.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBH16N170A | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXBH16N170A | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXBH16N170A | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 43ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 40A Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 65nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXBH16N170A | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 43ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 40A Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 65nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 |
товар відсутній |