IXBF42N300 Littelfuse


telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf42n300_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBF42N300 Littelfuse

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 380A, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 240W, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 200nC, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 3kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXBF42N300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBF42N300 IXBF42N300 Виробник : IXYS IXBF42N300.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXBF42N300 Виробник : IXYS DS100325A(IXBF42N300).pdf Description: IGBT 3000V TO247
товар відсутній
IXBF42N300 IXBF42N300 Виробник : IXYS ixyss05835_1-2272384.pdf MOSFET IGBT DISC IGBT
товар відсутній
IXBF42N300 IXBF42N300 Виробник : IXYS IXBF42N300.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 240W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
товар відсутній