Технічний опис IXBF42N300 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 380A, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 240W, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 200nC, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 3kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBF42N300
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBF42N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 380A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 240W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
IXBF42N300 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IXBF42N300 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXBF42N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Pulsed collector current: 380A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 240W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV |
товар відсутній |