IXBH10N300HV IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 180W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247HV
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4624.72 грн |
30+ | 4175.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH10N300HV IXYS
Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH), Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns, Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції IXBH10N300HV за ціною від 5203.36 грн до 5549.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBH10N300HV | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Pulsed collector current: 88A Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 180W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 46nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247HV Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
IXBH10N300HV Код товару: 161629 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||
IXBH10N300HV | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||
IXBH10N300HV | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH) Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A Power - Max: 180 W |
товар відсутній |
||||||||
IXBH10N300HV | Виробник : IXYS | IGBTs TO247 3KV 10A IGBT |
товар відсутній |