![IXBF20N300 IXBF20N300](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/05/47/C0/00/0/816208_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=628dac4ee802f2b24afb813660fec4e1b90cb761)
IXBF20N300 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 105nC
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3722.9 грн |
10+ | 3379.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBF20N300 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 150W, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 105nC, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 3kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 34A, Pulsed collector current: 130A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 0.3µs, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBF20N300 за ціною від 4211.13 грн до 4467.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBF20N300 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 150W Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 105nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 34A Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXBF20N300 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXBF20N300 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Gate Charge: 105 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 150 W |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXBF20N300 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |