IXBH10N170 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 699.54 грн |
| 2+ | 558.38 грн |
| 5+ | 528.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH10N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns, Switching Energy: 6mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.
Інші пропозиції IXBH10N170 за ціною від 400.42 грн до 839.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 360 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns Switching Energy: 6mJ (off) Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 140 W |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 140W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 30nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|