Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5702) > Сторінка 3 з 96

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товар відсутній
GA040TH65 GeneSiC Semiconductor GA040TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
GA060TH65 GeneSiC Semiconductor GA060TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
GA080TH65 GeneSiC Semiconductor GA080TH65.pdf Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
2N7635-GA 2N7635-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7637-GA 2N7637-GA GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7638-GA 2N7638-GA GeneSiC Semiconductor 2N7638-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товар відсутній
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA.pdf Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товар відсутній
GA03JT12-247 GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA06JT12-247 GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
товар відсутній
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 13161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.05 грн
10+ 95.62 грн
25+ 90.26 грн
100+ 77.75 грн
250+ 73.33 грн
500+ 70.17 грн
1000+ 66.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товар відсутній
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 13148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.43 грн
10+ 152.87 грн
25+ 145.49 грн
100+ 126.42 грн
250+ 120.74 грн
500+ 116.31 грн
1000+ 110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 18198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.53 грн
10+ 191.97 грн
25+ 183.21 грн
100+ 159.93 грн
250+ 152.34 грн
500+ 147.28 грн
1000+ 139.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.58 грн
10+ 669.11 грн
25+ 644.49 грн
100+ 571.51 грн
250+ 551.01 грн
500+ 535.64 грн
1000+ 512.36 грн
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.65 грн
6000+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товар відсутній
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.51 грн
6000+ 109.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+150.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+555.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GA05JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB50SLT12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
товар відсутній
GB04SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товар відсутній
GB08SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товар відсутній
GB16SLT17-247 GeneSiC Semiconductor Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
товар відсутній
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.96 грн
GA05JT12-263 GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
GA05JT12-247 GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 5A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA10JT12-263 GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товар відсутній
GA10JT12-247 GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA20JT12-247 GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1.2KV 20A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA20JT12-263 GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2793.35 грн
10+ 2481.01 грн
GA50JT12-247 GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7635.71 грн
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-247.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-263.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA50SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor GA100SICP12-227.pdf Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
товар відсутній
150K100A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
товар відсутній
150K20A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
товар відсутній
150K40A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
товар відсутній
150K60A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товар відсутній
150K80A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR100A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
товар відсутній
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR40A 150KR40A GeneSiC Semiconductor 150k20a_thru_150kr100a.pdf Description: DIODE GEN REV 400V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR60A 150KR60A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR80A GeneSiC Semiconductor 150k100a.pdf Description: DIODE GP REV 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 32 mA @ 800 V
товар відсутній
1N1183 GeneSiC Semiconductor 1n1183.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
1N1183AR GeneSiC Semiconductor 1n1183a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
товар відсутній
GA040TH65 GA040TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 780 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 40 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 69 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
GA060TH65 GA060TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 60 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 104 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
GA080TH65 GA080TH65.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товар відсутній
2N7635-GA
2N7635-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7636-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 4A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7637-GA
2N7637-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 7A TO257
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-257-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-257
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7638-GA 2N7638-GA.pdf
2N7638-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 8A TO276
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-276
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 35 V
товар відсутній
2N7639-GA 2N7639-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 15A TO-257
товар відсутній
2N7640-GA 2N7640-GA.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 650V 16A TO276
товар відсутній
GA03JT12-247 GA03JT12-247.pdf
GA03JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA06JT12-247 GA06JT12-247.pdf
GA06JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
товар відсутній
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 13161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.05 грн
10+ 95.62 грн
25+ 90.26 грн
100+ 77.75 грн
250+ 73.33 грн
500+ 70.17 грн
1000+ 66.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товар відсутній
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 13148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.43 грн
10+ 152.87 грн
25+ 145.49 грн
100+ 126.42 грн
250+ 120.74 грн
500+ 116.31 грн
1000+ 110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 18198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.53 грн
10+ 191.97 грн
25+ 183.21 грн
100+ 159.93 грн
250+ 152.34 грн
500+ 147.28 грн
1000+ 139.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+762.58 грн
10+ 669.11 грн
25+ 644.49 грн
100+ 571.51 грн
250+ 551.01 грн
500+ 535.64 грн
1000+ 512.36 грн
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+70.65 грн
6000+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GB02SLT06-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
товар відсутній
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+117.51 грн
6000+ 109.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+150.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+555.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GA05JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 5A
товар відсутній
GA10JT12-SMB3L
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товар відсутній
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товар відсутній
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247.pdf
GB50SLT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
товар відсутній
GB04SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 4A
товар відсутній
GB08SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 8A
товар відсутній
GB16SLT17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 16A
товар відсутній
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+900.96 грн
GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf
GA05JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
GA05JT12-247 GA05JT12-247.pdf
GA05JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 5A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf
GA10JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товар відсутній
GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA20JT12-247 GA20JT12-247.pdf
GA20JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 20A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GA20JT12-263 GA20JT12-263.pdf
GA20JT12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2793.35 грн
10+ 2481.01 грн
GA50JT12-247 GA50JT12-247.pdf
GA50JT12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7635.71 грн
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current: 10 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA20SICP12-263 GA20SICP12-263.pdf
GA20SICP12-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 50 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Current: 100 A
Voltage: 1.2 kV
товар відсутній
GA100SCPL12-227E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
товар відсутній
150K100A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
товар відсутній
150K20A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA
товар відсутній
150K40A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA
товар відсутній
150K60A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товар відсутній
150K80A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR100A 150k100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AA
товар відсутній
150KR20A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 200V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR40A 150k20a_thru_150kr100a.pdf
150KR40A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN REV 400V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR60A 150k100a.pdf
150KR60A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товар відсутній
150KR80A 150k100a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP REV 800V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 32 mA @ 800 V
товар відсутній
1N1183 1n1183.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
1N1183AR 1n1183a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]