![GB02SLT12-214 GB02SLT12-214](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2417/DO-214AA%2C%20SMB.jpg)
GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
![GB02SLT12-214.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 150.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB02SLT12-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GB02SLT12-214 за ціною від 139.9 грн до 244.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 18198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; DO214; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: DO214 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GB02SLT12-214 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; DO214; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: DO214 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |