Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139433) > Сторінка 1622 з 2324

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1617 1618 1619 1620 1621 1622 1623 1624 1625 1626 1627 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BD682STU BD682STU ONSEMI BD682STU.pdf Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 14W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 14W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1920 шт
товар відсутній
BD787G BD787G ONSEMI bd787-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDK-DCDC-GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: NCV890100
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDK-GEVK ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Components: AX8052F100; RSL10
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDV64BG BDV64BG ONSEMI BDV64BG.PDF Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.86 грн
5+ 207.16 грн
7+ 155.93 грн
19+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDW94C BDW94C ONSEMI BDW94C.pdf Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.95 грн
5+ 61.7 грн
23+ 45.39 грн
62+ 42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
BDW94CFTU BDW94CFTU ONSEMI BDW94CF.pdf Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDX33BG BDX33BG ONSEMI BDX33BG.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.56 грн
5+ 56.99 грн
10+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
BDX33CG BDX33CG ONSEMI BDX33CG.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.57 грн
5+ 83.23 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
250+ 54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BDX53CG BDX53CG ONSEMI BDX53B-D.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.74 грн
5+ 61.79 грн
10+ 48 грн
25+ 41.99 грн
67+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
BF720T1G BF720T1G ONSEMI bf720t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.39 грн
16+ 17.37 грн
84+ 11.93 грн
231+ 11.24 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
BLDC-GEVK ONSEMI BLDC-GEVK_Web.pdf Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: LV8907UWR2G
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Kind of connector: pin strips; screw
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BLE-IOT-GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ATSAM3U2CA,RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ATSAM3U2CA; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BLE-SWITCH001-GEVB ONSEMI Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: RSL10
Type of accessories for development kits: expansion board
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.86 грн
100+ 8.45 грн
140+ 7.67 грн
370+ 7.23 грн
3000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
BS170-D74Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.02 грн
13+ 22.34 грн
50+ 15.07 грн
100+ 12.81 грн
104+ 9.93 грн
284+ 9.41 грн
500+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.02 грн
13+ 22.53 грн
100+ 12.81 грн
102+ 10.11 грн
280+ 9.5 грн
500+ 9.32 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.01 грн
25+ 11.13 грн
100+ 8.62 грн
140+ 7.43 грн
380+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS270 BS270 ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.65 грн
11+ 26.87 грн
82+ 12.54 грн
225+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
BS270-D74Z ONSEMI bs270-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: Ammo Pack
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP16T1G BSP16T1G ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.46 грн
10+ 28.32 грн
82+ 12.63 грн
224+ 11.85 грн
1000+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI BSP52.PDF description Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+23.08 грн
25+ 16.46 грн
85+ 12.11 грн
230+ 11.41 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP52T3G BSP52T3G ONSEMI bsp52t1-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSR14 BSR14 ONSEMI BSR14-FAI-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.77 грн
11+ 24.88 грн
25+ 18.29 грн
100+ 14.9 грн
134+ 7.58 грн
368+ 7.14 грн
3000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR16 BSR16 ONSEMI bsr16-fai-dte.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.77 грн
12+ 24.06 грн
25+ 15.07 грн
100+ 9.93 грн
124+ 8.19 грн
341+ 7.67 грн
3000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR57 BSR57 ONSEMI bsr57-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.2 грн
25+ 13.21 грн
100+ 11.24 грн
105+ 9.69 грн
290+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR58 BSR58 ONSEMI bsr58-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.95 грн
30+ 10.58 грн
100+ 9.06 грн
135+ 7.69 грн
360+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
59+4.83 грн
100+ 4.16 грн
250+ 3.54 грн
324+ 3.12 грн
890+ 2.95 грн
3000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSS123L BSS123L ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+5.63 грн
100+ 4.22 грн
320+ 3.2 грн
870+ 3.02 грн
3000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 32494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+4.88 грн
100+ 4.22 грн
315+ 3.24 грн
860+ 3.07 грн
12000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 60
BSS123W BSS123W ONSEMI bss123w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS138L BSS138L ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+6 грн
100+ 5.2 грн
275+ 3.86 грн
750+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS138LT1G BSS138LT1G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+23.45 грн
15+ 18.39 грн
17+ 15.85 грн
25+ 12.68 грн
100+ 10.1 грн
250+ 8.85 грн
270+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138LT3G BSS138LT3G ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.63 грн
100+ 4.88 грн
300+ 3.62 грн
780+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 60
BSS138W BSS138W ONSEMI bss138w-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.29 грн
40+ 7.24 грн
100+ 6.1 грн
195+ 5.31 грн
530+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+2.92 грн
450+ 2.34 грн
1200+ 2.21 грн
12000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS84 BSS84 ONSEMI BSS84-FAI-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.52 грн
17+ 16.37 грн
100+ 10.45 грн
224+ 4.58 грн
615+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS84LT1G BSS84LT1G ONSEMI BSS84LT1-D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.44 грн
50+ 5.54 грн
250+ 4.11 грн
690+ 3.89 грн
3000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSV52LT1G BSV52LT1G ONSEMI BSV52LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 25...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+8.16 грн
50+ 5.75 грн
100+ 4.89 грн
235+ 4.39 грн
640+ 4.16 грн
3000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 35
BU406G BU406G ONSEMI BU406G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUB323ZT4G ONSEMI bub323z-d.pdf BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
товар відсутній
BUL45D2G BUL45D2G ONSEMI BUL45D2.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 75W; TO220AB; 1.15÷1.39mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 7...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.49 грн
3+ 135.7 грн
10+ 116.73 грн
11+ 95.83 грн
29+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUT11AFTU BUT11AFTU ONSEMI BUT11%28F%2CAF%29.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.61 грн
10+ 110.37 грн
12+ 92.34 грн
31+ 87.11 грн
500+ 83.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUV21G BUV21G ONSEMI BUV21.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Kind of package: in-tray
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUX85G BUX85G ONSEMI BUX85.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.72 грн
10+ 49.85 грн
27+ 37.37 грн
74+ 35.37 грн
1000+ 33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI BUZ11.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+95.69 грн
5+ 67.85 грн
21+ 49.57 грн
57+ 46.87 грн
500+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
BVSS123LT1G BVSS123LT1G ONSEMI bss123lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.26 грн
35+ 8.96 грн
100+ 7.58 грн
155+ 6.62 грн
425+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI bss138lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BVSS84LT1G BVSS84LT1G ONSEMI bss84lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: -130mA
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.79 грн
30+ 9.59 грн
100+ 8.15 грн
150+ 6.85 грн
400+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
BYV32-200G BYV32-200G ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.41 грн
10+ 101.92 грн
12+ 89.73 грн
31+ 84.5 грн
500+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI BYW29-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.69 грн
10+ 74.48 грн
22+ 48.09 грн
58+ 45.47 грн
1000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
BYW51-200G BYW51-200G ONSEMI BYW51-200.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI BYW80-200G.PDF description Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220-2
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+151.04 грн
4+ 77.8 грн
10+ 60.98 грн
19+ 53.02 грн
53+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZG03C150G BZG03C150G ONSEMI bzg03c15.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±4%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.26 грн
25+ 15.02 грн
90+ 11.77 грн
240+ 11.13 грн
5000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
BZX79C10 BZX79C10 ONSEMI BZX79-FAI-DTE.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+5.77 грн
100+ 3.31 грн
250+ 2.56 грн
450+ 2.26 грн
1230+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
BZX79C11 BZX79C11 ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 11V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 11V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
BZX79C12 BZX79C12 ONSEMI BZX79-FAI-DTE.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.43 грн
100+ 3.33 грн
250+ 2.83 грн
390+ 2.59 грн
1000+ 2.57 грн
1065+ 2.45 грн
5000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 45
BZX79C15 BZX79C15 ONSEMI BZX79-FAI-DTE.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.46 грн
130+ 2.23 грн
250+ 1.73 грн
680+ 1.5 грн
1850+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 70
BD682STU BD682STU.pdf
BD682STU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 14W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 14W
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1920 шт
товар відсутній
BD787G bd787-d.pdf
BD787G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDK-DCDC-GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: NCV890100
development kits accessories features: Arduino Shield compatible
Kit contents: prototype board
Kind of connector: pin strips; power supply; screw
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: NCV890100
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDK-GEVK
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Comp: AX8052F100,RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: cable USB A plug - USB micro plug; prototype board
Components: AX8052F100; RSL10
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible; Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: CR2032; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDV64BG BDV64BG.PDF
BDV64BG
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.86 грн
5+ 207.16 грн
7+ 155.93 грн
19+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDW94C BDW94C.pdf
BDW94C
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.95 грн
5+ 61.7 грн
23+ 45.39 грн
62+ 42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
BDW94CFTU BDW94CF.pdf
BDW94CFTU
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Current gain: 100...20000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BDX33BG BDX33BG.PDF
BDX33BG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.56 грн
5+ 56.99 грн
10+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
BDX33CG BDX33CG.PDF
BDX33CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.57 грн
5+ 83.23 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
250+ 54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BDX53CG BDX53B-D.pdf
BDX53CG
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 65W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.74 грн
5+ 61.79 грн
10+ 48 грн
25+ 41.99 грн
67+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
BF720T1G bf720t1-d.pdf
BF720T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.39 грн
16+ 17.37 грн
84+ 11.93 грн
231+ 11.24 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
BLDC-GEVK BLDC-GEVK_Web.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: LV8907UWR2G
Interface: I2C; I2C - Slave; SPI
Type of accessories for development kits: expansion board
Components: LV8907UWR2G
development kits accessories features: Arduino Shield compatible; brushless DC motor driver
Kind of connector: pin strips; screw
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BLE-IOT-GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: ATSAM3U2CA,RSL10
Type of development kit: evaluation
Kit contents: prototype board
Components: ATSAM3U2CA; RSL10
Programmers and development kits features: Bluetooth board
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Kind of connector: pin strips; pin strips; Pmod socket; USB micro
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BLE-SWITCH001-GEVB
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: RSL10
Type of accessories for development kits: expansion board
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+9.86 грн
100+ 8.45 грн
140+ 7.67 грн
370+ 7.23 грн
3000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
BS170-D74Z BS170,MMBF170.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.02 грн
13+ 22.34 грн
50+ 15.07 грн
100+ 12.81 грн
104+ 9.93 грн
284+ 9.41 грн
500+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.02 грн
13+ 22.53 грн
100+ 12.81 грн
102+ 10.11 грн
280+ 9.5 грн
500+ 9.32 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.01 грн
25+ 11.13 грн
100+ 8.62 грн
140+ 7.43 грн
380+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS270 bs270-d.pdf
BS270
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.65 грн
11+ 26.87 грн
82+ 12.54 грн
225+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
BS270-D74Z bs270-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; Idm: 2A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: Ammo Pack
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP16T1G bsp16t1-d.pdf
BSP16T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.46 грн
10+ 28.32 грн
82+ 12.63 грн
224+ 11.85 грн
1000+ 11.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP52T1G description BSP52.PDF
BSP52T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+23.08 грн
25+ 16.46 грн
85+ 12.11 грн
230+ 11.41 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP52T3G bsp52t1-d.pdf
BSP52T3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSR14 BSR14-FAI-DTE.pdf
BSR14
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.77 грн
11+ 24.88 грн
25+ 18.29 грн
100+ 14.9 грн
134+ 7.58 грн
368+ 7.14 грн
3000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR16 bsr16-fai-dte.pdf
BSR16
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.77 грн
12+ 24.06 грн
25+ 15.07 грн
100+ 9.93 грн
124+ 8.19 грн
341+ 7.67 грн
3000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR57 bsr57-d.pdf
BSR57
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.2 грн
25+ 13.21 грн
100+ 11.24 грн
105+ 9.69 грн
290+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR58 bsr58-d.pdf
BSR58
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.95 грн
30+ 10.58 грн
100+ 9.06 грн
135+ 7.69 грн
360+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+4.83 грн
100+ 4.16 грн
250+ 3.54 грн
324+ 3.12 грн
890+ 2.95 грн
3000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSS123L BSS123L-DTE.pdf
BSS123L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.63 грн
100+ 4.22 грн
320+ 3.2 грн
870+ 3.02 грн
3000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 32494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+4.88 грн
100+ 4.22 грн
315+ 3.24 грн
860+ 3.07 грн
12000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 60
BSS123W bss123w-d.pdf
BSS123W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.68A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS138L BSS138L.PDF
BSS138L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6 грн
100+ 5.2 грн
275+ 3.86 грн
750+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS138LT1G BSS138L.PDF
BSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.45 грн
15+ 18.39 грн
17+ 15.85 грн
25+ 12.68 грн
100+ 10.1 грн
250+ 8.85 грн
270+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138LT3G BSS138L.PDF
BSS138LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+5.63 грн
100+ 4.88 грн
300+ 3.62 грн
780+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 60
BSS138W bss138w-d.pdf
BSS138W
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.21A; 0.34W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.34W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.29 грн
40+ 7.24 грн
100+ 6.1 грн
195+ 5.31 грн
530+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS63LT1G BSS63LT1G.PDF
BSS63LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.92 грн
450+ 2.34 грн
1200+ 2.21 грн
12000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS64LT1G bss64lt1-d.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 60MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS84 BSS84-FAI-DTE.pdf
BSS84
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.52 грн
17+ 16.37 грн
100+ 10.45 грн
224+ 4.58 грн
615+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS84LT1G BSS84LT1-D.pdf
BSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.44 грн
50+ 5.54 грн
250+ 4.11 грн
690+ 3.89 грн
3000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSV52LT1G BSV52LT1G.pdf
BSV52LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 25...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+8.16 грн
50+ 5.75 грн
100+ 4.89 грн
235+ 4.39 грн
640+ 4.16 грн
3000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 35
BU406G BU406G.PDF
BU406G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUB323ZT4G bub323z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
BUB323ZT4G NPN SMD Darlington transistors
товар відсутній
BUL45D2G description BUL45D2.PDF
BUL45D2G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 75W; TO220AB; 1.15÷1.39mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 7...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.49 грн
3+ 135.7 грн
10+ 116.73 грн
11+ 95.83 грн
29+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUT11AFTU BUT11%28F%2CAF%29.pdf
BUT11AFTU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.61 грн
10+ 110.37 грн
12+ 92.34 грн
31+ 87.11 грн
500+ 83.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUV21G BUV21.PDF
BUV21G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Kind of package: in-tray
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUX85G BUX85.PDF
BUX85G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.72 грн
10+ 49.85 грн
27+ 37.37 грн
74+ 35.37 грн
1000+ 33.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BUZ11-NR4941 BUZ11.pdf
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.69 грн
5+ 67.85 грн
21+ 49.57 грн
57+ 46.87 грн
500+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
BVSS123LT1G bss123lt1-d.pdf
BVSS123LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+17.26 грн
35+ 8.96 грн
100+ 7.58 грн
155+ 6.62 грн
425+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
BVSS138LT1G bss138lt1-d.pdf
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BVSS84LT1G bss84lt1-d.pdf
BVSS84LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: -130mA
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.79 грн
30+ 9.59 грн
100+ 8.15 грн
150+ 6.85 грн
400+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
BYV32-200G byv32-200-d.pdf
BYV32-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.41 грн
10+ 101.92 грн
12+ 89.73 грн
31+ 84.5 грн
500+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BYW29-200G description BYW29-200G.PDF
BYW29-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; TO220AC; 1.14÷1.39mm
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Case: TO220AC
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.69 грн
10+ 74.48 грн
22+ 48.09 грн
58+ 45.47 грн
1000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
BYW51-200G BYW51-200.PDF
BYW51-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BYW80-200G description BYW80-200G.PDF
BYW80-200G
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220-2
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.04 грн
4+ 77.8 грн
10+ 60.98 грн
19+ 53.02 грн
53+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZG03C150G bzg03c15.pdf
BZG03C150G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.5W; 150V; SMD; reel,tape; SMA; single diode; 1uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.5W
Zener voltage: 150V
Mounting: SMD
Tolerance: ±4%
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+17.26 грн
25+ 15.02 грн
90+ 11.77 грн
240+ 11.13 грн
5000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
BZX79C10 BZX79-FAI-DTE.pdf
BZX79C10
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 10V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.77 грн
100+ 3.31 грн
250+ 2.56 грн
450+ 2.26 грн
1230+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
BZX79C11 ONSM-S-A0003579732-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZX79C11
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 11V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 11V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
BZX79C12 BZX79-FAI-DTE.pdf
BZX79C12
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.43 грн
100+ 3.33 грн
250+ 2.83 грн
390+ 2.59 грн
1000+ 2.57 грн
1065+ 2.45 грн
5000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 45
BZX79C15 BZX79-FAI-DTE.pdf
BZX79C15
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; bulk; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Kind of package: bulk
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+4.46 грн
130+ 2.23 грн
250+ 1.73 грн
680+ 1.5 грн
1850+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 70
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1617 1618 1619 1620 1621 1622 1623 1624 1625 1626 1627 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]