![BYW80-200G BYW80-200G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/12/4/4/8/10/206/ons_/manual/to-220ac.jpg)
BYW80-200G ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW80-200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220B, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW80, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BYW80-200G за ціною від 32.09 грн до 151.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 22 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220B Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW80 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYW80-200G Код товару: 101730 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
BYW80-200G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |