на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 4.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170-D27Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BS170-D27Z за ціною від 4.88 грн до 35.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS170-D27Z | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS170-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 0.83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS170-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 0.83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS170-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS170-D27Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 6182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS170-D27Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS170"D27Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS170-D27Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BS170-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BS170-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BS170-D27Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |