на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.57 грн |
| 10+ | 88.96 грн |
| 100+ | 60.77 грн |
| 500+ | 51.5 грн |
| 950+ | 41.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BU406G onsemi
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BU406G за ціною від 38.76 грн до 109.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BU406G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 200V 7A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 60 W |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BU406G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BU406G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 7A; 60W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |