Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123L
BSS123L

BSS123L ON Semiconductor

1055246512757722bss123l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS123L за ціною від 1.98 грн до 26.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.57 грн
9000+ 2.33 грн
24000+ 2.27 грн
45000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.7 грн
9000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4374+2.76 грн
9000+ 2.51 грн
24000+ 2.43 грн
45000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 4374
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4156+2.91 грн
9000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 4156
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI 2298165.pdf Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.49 грн
9000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.59 грн
6000+ 3.21 грн
9000+ 2.66 грн
30000+ 2.45 грн
75000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+4.69 грн
110+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 85
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.63 грн
100+ 4.22 грн
320+ 3.2 грн
870+ 3.02 грн
3000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1866+6.48 грн
1885+ 6.41 грн
1966+ 6.15 грн
2758+ 4.23 грн
3100+ 3.48 грн
6000+ 2.93 грн
15000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 1866
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 115501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.11 грн
21+ 14.16 грн
100+ 6.89 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.99 грн
48+ 12.68 грн
49+ 12.44 грн
100+ 5.8 грн
250+ 5.32 грн
500+ 4.89 грн
1000+ 3.49 грн
3000+ 3.1 грн
6000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi / Fairchild BSS123L_D-3150185.pdf MOSFET Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
на замовлення 755836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.68 грн
25+ 13.3 грн
100+ 5.3 грн
1000+ 3.83 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.23 грн
24000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 81844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.5 грн
44+ 18.14 грн
111+ 7.08 грн
500+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BSS123L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)