![BSS123 BSS123](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS123 за ціною від 0.87 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 662009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 5851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5851 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
на замовлення 13026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 329562 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 662009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : SLKOR |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : SHIKUES |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
![]() |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
BSS123 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSS123 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |