BSS123LT1G ON
у наявності 2318 шт:
1816 шт - склад
290 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
202 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
20+ | 2.5 грн |
100+ | 2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS123LT1G за ціною від 1.98 грн до 31.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 756000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 756000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 756000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 271261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 190165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 25489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V |
на замовлення 271663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel |
на замовлення 475975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 190165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 452 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 13030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | Виробник : ONS | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm |
на замовлення 67 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS123LT1G | n-канальний польовий транзистор SOT-23-3 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
NX2500-03SMS Код товару: 63279 |
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 3; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 3
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 3; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 3
Крок контактів: 2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
50+ | 1 грн |
100+ | 0.7 грн |
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 387 |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 33108 шт
очікується:
40000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.22 грн |
1000+ | 0.16 грн |
10000+ | 0.13 грн |
LL4148 Код товару: 2413 |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 38117 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 1 грн |
100+ | 0.5 грн |
125+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.3 грн |
10000+ | 0.2 грн |
DRB-9MA (DPRS2-09M-1200) (D-SUB вилка на плату) Код товару: 3519 |
Виробник: Vensik
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 9
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інтерфейсні (D-SUB та ін.)
Вилка або розетка: Вилка
К-сть контактів: 9
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
у наявності: 7 шт
очікується:
402 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |