BSS63LT1G

BSS63LT1G ON Semiconductor


bss63lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS63LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 95MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.31 грн до 26.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.18 грн
9000+ 1.39 грн
24000+ 1.38 грн
45000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5191+2.33 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.47 грн
45000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5191
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.52 грн
6000+ 2.29 грн
9000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.81 грн
175+ 2.34 грн
450+ 1.95 грн
1200+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 150
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.92 грн
450+ 2.34 грн
1200+ 2.21 грн
12000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.08 грн
30+ 9.95 грн
100+ 5.36 грн
500+ 3.95 грн
1000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi BSS63LT1_D-2310634.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
на замовлення 23468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.85 грн
32+ 10.34 грн
100+ 4.04 грн
1000+ 2.37 грн
3000+ 2.3 грн
9000+ 2.02 грн
24000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+16.73 грн
79+ 10.01 грн
157+ 4.98 грн
500+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 47
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS63LT1G Виробник : ONS bss63lt1-d.pdf Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+26.72 грн
100+ 16.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS63LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss63lt1-d.pdf Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS63LT1G
Код товару: 173698
bss63lt1-d.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній