BYW51-200G ON Semiconductor
на замовлення 35150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 53.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW51-200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 970mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYW51, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BYW51-200G за ціною від 47.32 грн до 142.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW51-200G | Виробник : onsemi |
 Rectifiers 200V 16A UltraFast |
на замовлення 6713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYW51-200G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 970mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYW51 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BYW51-200G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BYW51-200G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BYW51-200G | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BYW51-200G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BYW51-200G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BYW51-200G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8Ax2; tube; Ifsm: 100A; TO220AB Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Max. load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Heatsink thickness: 1.15...1.39mm |
товар відсутній |