BUV21G ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1220.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUV21G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 40A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUV21G за ціною від 845.36 грн до 1477.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUV21G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 40A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUV21G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BUV21G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUV21G Код товару: 165153 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BUV21G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Kind of package: in-tray Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 40A Type of transistor: NPN Power dissipation: 250W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BUV21G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3 Kind of package: in-tray Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 40A Type of transistor: NPN Power dissipation: 250W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 |
товар відсутній |