![BVSS123LT1G BVSS123LT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
BVSS123LT1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BVSS123LT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BVSS123LT1G за ціною від 4.31 грн до 28.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BVSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BVSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BVSS123LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BVSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BVSS123LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 86072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|