Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSP52T1G
BSP52T1G

BSP52T1G ON Semiconductor

bsp52t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP52T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-223, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP52T1G за ціною від 7.4 грн до 31.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+10.85 грн
2000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.81 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI BSP52.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+19.23 грн
30+ 13.21 грн
85+ 10.09 грн
230+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI BSP52.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 0.8W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+23.08 грн
25+ 16.46 грн
85+ 12.11 грн
230+ 11.41 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.65 грн
29+ 20.86 грн
100+ 15.29 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 8.78 грн
2000+ 7.4 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+27.62 грн
27+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi BSP52T1_D-2310252.pdf Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 24749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.97 грн
15+ 21.96 грн
100+ 15.54 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 9.76 грн
2000+ 8.57 грн
10000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : onsemi bsp52t1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.65 грн
13+ 23.67 грн
100+ 16.46 грн
500+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.66 грн
31+ 25.49 грн
100+ 16.81 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSP52T1G Виробник : ON SEMICONDUCTOR bsp52t1-d.pdf TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSP52T1G Виробник : ON-Semicoductor bsp52t1-d.pdf darl.NPN 1A 80V 0.8W BSP52 TBSP52
на замовлення 940 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSP52T1G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 25426 		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BSP52T1G BSP52T1G Виробник : ON Semiconductor bsp52t1-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній