НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RQ5A020ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.47 грн
23+ 34.87 грн
100+ 22.13 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 19
RQ5A020ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.32 грн
11+ 29.05 грн
100+ 20.18 грн
500+ 14.79 грн
1000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5A020ZPTLROHM SemiconductorMOSFET -12V P-CHANNEL -2A
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5A020ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
товару немає в наявності
RQ5A020ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
товару немає в наявності
RQ5A020ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A020ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.13 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5A020ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5A025ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.67 грн
22+ 37.82 грн
100+ 25.72 грн
500+ 19.74 грн
1000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
RQ5A025ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A025ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.72 грн
500+ 19.74 грн
1000+ 11.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5A025ZPTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5A025ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 34.85 грн
100+ 22.92 грн
500+ 18.95 грн
1000+ 15.47 грн
3000+ 12.21 грн
9000+ 12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5A030APTLROHMDescription: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.28 грн
500+ 14.56 грн
1000+ 12.01 грн
5000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5A030APTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -9A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -9A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
товару немає в наявності
RQ5A030APTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+ 5.25 грн
9000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5A030APTLROHMDescription: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.95 грн
28+ 28.5 грн
100+ 17.28 грн
500+ 14.56 грн
1000+ 12.01 грн
5000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 23
RQ5A030APTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -9A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: -9A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5A030APTLROHM SemiconductorMOSFETs -12V P-CHANNEL -3A
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
13+ 25.87 грн
100+ 15.33 грн
1000+ 8.59 грн
3000+ 7.88 грн
9000+ 6.96 грн
24000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
RQ5A030APTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.17 грн
16+ 18.93 грн
100+ 12.77 грн
500+ 9.31 грн
1000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
RQ5A040ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5A040ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -16A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5A040ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5A040ZP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 8148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.39 грн
10+ 32.97 грн
100+ 21.29 грн
500+ 18.1 грн
1000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5A040ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.04 грн
500+ 16.12 грн
1000+ 13.85 грн
2000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5A040ZPTLROHMDescription: ROHM - RQ5A040ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.49 грн
45+ 18.07 грн
100+ 17.04 грн
500+ 14.93 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 34
RQ5A040ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -16A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4A
товару немає в наявності
RQ5C020TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
10+ 29.65 грн
100+ 20.57 грн
500+ 15.27 грн
1000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5C020TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.77 грн
500+ 16.86 грн
1000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5C020TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
товару немає в наявності
RQ5C020TPTLROHM SemiconductorMOSFET -20V P-CHANNEL -2A
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5C020TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C020TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.27 грн
23+ 34.87 грн
100+ 22.77 грн
500+ 16.86 грн
1000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5C025TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.95 грн
50+ 28.98 грн
100+ 22.93 грн
500+ 13.75 грн
1500+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
RQ5C025TPTLROHM SemiconductorMOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5C025TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5C025TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.93 грн
500+ 13.75 грн
1500+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5C025TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5C030TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5C030TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.49 грн
22+ 36.7 грн
100+ 25.16 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
RQ5C030TPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.53 грн
10+ 37.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5C030TPTLROHMDescription: ROHM - RQ5C030TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.16 грн
500+ 19.89 грн
1000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5C030TPTLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET WITH G-S PROTECTION DIO
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
10+ 35.5 грн
100+ 22.29 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 16.18 грн
3000+ 14.34 грн
6000+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5C035BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
6000+ 10.91 грн
9000+ 10.4 грн
15000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5C035BCTCLROHM SemiconductorMOSFET Pch -20V -3.5A Si MOSFET
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.26 грн
11+ 31.5 грн
100+ 20.51 грн
500+ 16.11 грн
1000+ 12.49 грн
3000+ 11.78 грн
6000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5C035BCTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5C035BCTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
RQ5C035BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 20209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 31.42 грн
100+ 20.26 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.43 грн
6000+ 18.64 грн
9000+ 17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5C060BCTCLROHMDescription: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.2 грн
500+ 26.32 грн
1000+ 17.2 грн
5000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5C060BCTCLROHM SemiconductorMOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
на замовлення 15815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.79 грн
10+ 45.3 грн
100+ 29.52 грн
500+ 25.12 грн
1000+ 21.36 грн
3000+ 19.09 грн
6000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5C060BCTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5C060BCTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.74 грн
10+ 44.87 грн
100+ 31.07 грн
500+ 24.36 грн
1000+ 20.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5C060BCTCLROHMDescription: ROHM - RQ5C060BCTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0161 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.77 грн
17+ 48.09 грн
100+ 33.2 грн
500+ 26.32 грн
1000+ 17.2 грн
5000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+60.76 грн
411+ 29.62 грн
450+ 27.09 грн
452+ 26.02 грн
556+ 19.56 грн
1000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 201
RQ5C060BCTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+37.1 грн
342+ 35.61 грн
500+ 34.32 грн
1000+ 32.02 грн
2500+ 28.77 грн
Мінімальне замовлення: 329
RQ5E015RPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
товару немає в наявності
RQ5E015RPTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 9749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.06 грн
10+ 36.73 грн
100+ 23.85 грн
500+ 18.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E015RPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5E020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
товару немає в наявності
RQ5E020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.84 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E020SPTLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5E020SP is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.39 грн
10+ 36.4 грн
100+ 22.07 грн
500+ 17.25 грн
1000+ 13.98 грн
3000+ 11.78 грн
9000+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.92 грн
10+ 32.75 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.89 грн
21+ 39.73 грн
100+ 24.84 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 17
RQ5E025ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E025ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.01 грн
500+ 11.46 грн
1000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E025ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 10044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.55 грн
12+ 25.95 грн
100+ 15.58 грн
500+ 13.54 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E025ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.84 грн
31+ 25.72 грн
100+ 14.01 грн
500+ 11.46 грн
1000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
RQ5E025ATTCLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -2.5A Si MOSFET
на замовлення 25848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
16+ 21.63 грн
100+ 11 грн
1000+ 9.51 грн
3000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5E025SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.92 грн
10+ 33.19 грн
100+ 24.78 грн
500+ 18.27 грн
1000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E025SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.08 грн
30+ 27.07 грн
100+ 17.44 грн
500+ 12.86 грн
1000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
RQ5E025SNTLROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.92 грн
10+ 33.38 грн
100+ 21.65 грн
500+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E025SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E025SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.44 грн
500+ 12.86 грн
1000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E025SPTLROHM SemiconductorMOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.37 грн
10+ 39.75 грн
100+ 25.83 грн
500+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E025SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 38.22 грн
100+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5E025SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.21 грн
24+ 33.92 грн
100+ 21.26 грн
500+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
RQ5E025SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5E025SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.26 грн
500+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.14 грн
500+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.066 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.34 грн
46+ 17.6 грн
100+ 10.99 грн
500+ 8.65 грн
1000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
RQ5E025TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5E025TNTLROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.76 грн
11+ 31.75 грн
100+ 20.58 грн
500+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E025TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
товару немає в наявності
RQ5E025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.32 грн
11+ 29.42 грн
100+ 20.44 грн
500+ 14.97 грн
1000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E030AJTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E030AJTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E030AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
6000+ 9.5 грн
9000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E030AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.18 грн
500+ 15.45 грн
1000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E030AJTCLROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.69 грн
13+ 26.28 грн
100+ 16.75 грн
500+ 13.7 грн
1000+ 11.14 грн
3000+ 9.23 грн
9000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5E030AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+ 24.47 грн
100+ 16.63 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E030AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.5 грн
26+ 31.77 грн
100+ 21.18 грн
500+ 15.45 грн
1000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 22
RQ5E030RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5E030RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.91 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 12.76 грн
5000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E030RPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
товару немає в наявності
RQ5E030RPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5E030RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5E030RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.24 грн
20+ 40.76 грн
100+ 26.91 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 12.76 грн
5000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
RQ5E030RPTLROHM SemiconductorMOSFET P-CHANNEL -30V 3A
на замовлення 11359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.46 грн
10+ 37.46 грн
100+ 23.92 грн
500+ 18.81 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 13.2 грн
9000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E035ATTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E035ATTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E035ATTCLROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET
на замовлення 31136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.06 грн
14+ 23.42 грн
100+ 11.36 грн
1000+ 7.74 грн
3000+ 6.6 грн
9000+ 6.1 грн
24000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
RQ5E035ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+ 7.03 грн
9000+ 6.33 грн
30000+ 5.85 грн
75000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E035ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
на замовлення 116255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.41 грн
15+ 21.07 грн
100+ 12.66 грн
500+ 11 грн
1000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
RQ5E035BNTCLROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 3.5A Power MOSET
на замовлення 13020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
14+ 24.81 грн
100+ 8.94 грн
1000+ 6.6 грн
3000+ 4.97 грн
9000+ 4.54 грн
24000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5E035BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 20858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.19 грн
27+ 11.31 грн
100+ 7.08 грн
500+ 4.95 грн
1000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 16
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.11 грн
500+ 8.87 грн
1000+ 7.71 грн
5000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.05 грн
30+ 27.31 грн
100+ 10.11 грн
500+ 8.87 грн
1000+ 7.71 грн
5000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
RQ5E035BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E035BNTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E035BNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E035BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E035BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.05 грн
30+ 27.31 грн
100+ 10.11 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
RQ5E035XNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+ 30.31 грн
100+ 21.1 грн
500+ 15.46 грн
1000+ 12.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E035XNTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E035XN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.14 грн
10+ 34.77 грн
100+ 21.93 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.34 грн
3000+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E035XNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E040AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
товару немає в наявності
RQ5E040AJTCLROHM SemiconductorMOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.74 грн
15+ 23.18 грн
100+ 14.05 грн
500+ 10.93 грн
1000+ 9.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
RQ5E040AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.22 грн
11+ 27.06 грн
100+ 18.42 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E040AJTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E040AJTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E040RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5E040RPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 46.13 грн
100+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E040RPTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
RQ5E040RPTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E040RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for DC/DC converters.
на замовлення 13686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.59 грн
10+ 43.91 грн
100+ 29.31 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 18.52 грн
3000+ 16.82 грн
9000+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5E040TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5E040TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
товару немає в наявності
RQ5E040TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.78 грн
20+ 40.13 грн
100+ 26.35 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
RQ5E040TNTLROHM SemiconductorMOSFET 30V N-CHANNEL 4A
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.2 грн
10+ 40.24 грн
100+ 20.58 грн
1000+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E040TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.46 грн
10+ 34.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5E040TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
товару немає в наявності
RQ5E040TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.35 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E050ATTCLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5E050AT is a small signal MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.09 грн
10+ 47.17 грн
100+ 27.47 грн
500+ 21.93 грн
1000+ 19.3 грн
3000+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5E050ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.67 грн
10+ 42.44 грн
100+ 29.4 грн
500+ 23.05 грн
1000+ 19.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5E050ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.54 грн
500+ 22.92 грн
1000+ 16.31 грн
5000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E050ATTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E050ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.021 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.33 грн
17+ 47.77 грн
100+ 29.54 грн
500+ 22.92 грн
1000+ 16.31 грн
5000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
RQ5E050ATTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
6000+ 17.64 грн
9000+ 16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5E050ATTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E050ATTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E065AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.28 грн
10+ 46.35 грн
100+ 32.08 грн
500+ 25.16 грн
1000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E065AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.27 грн
21+ 38.77 грн
100+ 28.34 грн
500+ 24.1 грн
1000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5E065AJTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.37 грн
10+ 50.77 грн
100+ 33.92 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 21.43 грн
3000+ 19.38 грн
9000+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E065AJTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.34 грн
500+ 24.1 грн
1000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E065AJTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
RQ5E070BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
RQ5E070BNTCLROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.95 грн
10+ 50.77 грн
100+ 33.92 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 21.43 грн
3000+ 19.45 грн
9000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E070BNTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5E070BNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RQ5E070BNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.32 грн
11+ 29.28 грн
100+ 20.26 грн
500+ 15.89 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E070BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.77 грн
500+ 17.6 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E070BNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.47 грн
22+ 36.54 грн
100+ 22.77 грн
500+ 17.6 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.73 грн
21+ 39.49 грн
100+ 24.76 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5H020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.81 грн
21+ 39.65 грн
100+ 24.84 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5H020SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.92 грн
10+ 32.75 грн
100+ 22.76 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H020SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.84 грн
500+ 18.04 грн
1000+ 14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5H020SPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -2A; Idm: -8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.42 грн
82+ 10.5 грн
225+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
RQ5H020SPTLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET
на замовлення 10120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.39 грн
10+ 36.4 грн
100+ 23.7 грн
500+ 18.59 грн
1000+ 14.41 грн
3000+ 13.06 грн
9000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H020SPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -2A; Idm: -8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.9 грн
82+ 13.08 грн
225+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5H020TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2A
товару немає в наявності
RQ5H020TNTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5H020TN is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 16548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.73 грн
10+ 52.89 грн
100+ 36.83 грн
500+ 31.72 грн
1000+ 25.9 грн
3000+ 24.34 грн
6000+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ5H020TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
10+ 35.41 грн
100+ 27.55 грн
500+ 21.91 грн
1000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5H020TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5H020TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5H020TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H020TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5H025TNTLROHM SemiconductorMOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.54 грн
10+ 38.44 грн
100+ 24.98 грн
500+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+ 12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5H025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.8 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5H025TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5H025TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.49 грн
20+ 41.16 грн
100+ 25.8 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
RQ5H025TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.46 грн
10+ 34.08 грн
100+ 23.66 грн
500+ 17.34 грн
1000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H025TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 2.5A
товару немає в наявності
RQ5H030TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5H030TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.02 грн
500+ 15.3 грн
1500+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5H030TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 3A
товару немає в наявності
RQ5H030TNTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N CHAN 45V
на замовлення 58582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 30.61 грн
100+ 19.23 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 14.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H030TNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5H030TNTLROHMDescription: ROHM - RQ5H030TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.048 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34 грн
50+ 27.55 грн
100+ 21.02 грн
500+ 15.3 грн
1500+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
RQ5H030TNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 7743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
12+ 26.84 грн
100+ 18.58 грн
500+ 14.57 грн
1000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5L015SPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
товару немає в наявності
RQ5L015SPTLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
на замовлення 107106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
12+ 28.4 грн
100+ 18.03 грн
500+ 14.34 грн
1000+ 11.71 грн
3000+ 9.65 грн
9000+ 9.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5L015SPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5L015SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5L015SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.77 грн
500+ 19.3 грн
1500+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5L015SPTLROHMDescription: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.47 грн
50+ 28.66 грн
100+ 22.77 грн
500+ 19.3 грн
1500+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
RQ5L015SPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5L020SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.49 грн
20+ 41.16 грн
100+ 25.8 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
RQ5L020SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 38.44 грн
100+ 28.69 грн
500+ 21.16 грн
1000+ 16.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5L020SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5L020SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.8 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5L020SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
товару немає в наявності
RQ5L020SNTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.
на замовлення 8561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 35.34 грн
100+ 22.14 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 12.28 грн
9000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5L020SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5L030SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.18 грн
50+ 37.58 грн
100+ 28.9 грн
500+ 19.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5L030SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
товару немає в наявності
RQ5L030SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
RQ5L030SNTLROHM SemiconductorMOSFET RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC/DC converters.
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 42.85 грн
100+ 25.76 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.31 грн
3000+ 16.32 грн
6000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5L030SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5L030SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
10+ 38.22 грн
100+ 26.44 грн
500+ 20.73 грн
1000+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5L030SNTLROHMDescription: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.9 грн
500+ 19.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5L035GNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5L035GNTCLROHM SEMICONDUCTORRQ5L035GNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
RQ5L035GNTCLROHMDescription: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.61 грн
16+ 52.55 грн
100+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
RQ5L035GNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
товару немає в наявності
RQ5L035GNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.08 грн
10+ 47.98 грн
100+ 31.57 грн
500+ 22.97 грн
1000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ5L035GNTCLROHM SemiconductorMOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.79 грн
10+ 49.13 грн
100+ 29.6 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 18.67 грн
6000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5L045BGTCLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 41.62 грн
100+ 26.97 грн
500+ 21.22 грн
1000+ 16.39 грн
3000+ 14.9 грн
9000+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5P010SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
6000+ 15.05 грн
9000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ5P010SNTLROHM SemiconductorMOSFETs RQ5P010SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC-DC Converter.
на замовлення 14422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.06 грн
13+ 25.46 грн
100+ 17.46 грн
500+ 13.48 грн
1000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
RQ5P010SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
RQ5P010SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 13387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.13 грн
10+ 40.22 грн
100+ 27.95 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5P010SNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
товару немає в наявності
RQ5P035BGTCLRohm SemiconductorDescription: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
товару немає в наявності
RQ5P035BGTCLROHM SemiconductorMOSFETs 100V 3.5A TSMT3, Power MOSFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.46 грн
10+ 39.91 грн
100+ 23.7 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 16.82 грн
3000+ 15.26 грн
6000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5P035BGTCLRohm SemiconductorDescription: 100V 3.5A TSMT3, POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.63 грн
10+ 42.36 грн
25+ 35.57 грн
100+ 26.08 грн
250+ 22.51 грн
500+ 20.32 грн
1000+ 18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ5PW27BA-TR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RN25BA-TR
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW151BA-TRRICOHSOT343-1FDP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW151BA-TR SOT343-1FDRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW151BA-TR SOT343-1FDPRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW151BA-TRSOT343-1FDP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW15BA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW15BA-TRRICOH2003
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW15BA-TR SOT343-1FRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW15BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.91 грн
10+ 45.62 грн
100+ 30.45 грн
250+ 28.32 грн
500+ 24.06 грн
1000+ 19.3 грн
3000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5RW15BA-TRSOT343-1FRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW15CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
RQ5RW16BARICOH
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW16BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.6V 50MA SC82AB
товару немає в наявності
RQ5RW16BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
RQ5RW17CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
RQ5RW18AA-TR-FARICOH
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
RQ5RW18BA
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18BA-TR-FRICOH06+NOP
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18BA-TR-FRICOH06+
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18BA-TR-FRICOH09+
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18BA-TR-FRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.8V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW18BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 40.48 грн
100+ 26.69 грн
500+ 22.71 грн
1000+ 18.17 грн
3000+ 16.75 грн
6000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5RW18BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.8V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.3 грн
10+ 38.74 грн
25+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5RW18CARICOH
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18CA-TRRICOH04+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18CA-TRRICOH
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18CA-TR-FARICOH5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW18CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators 1000mA Buck-Boost DC/DC Converter with Synchronous Rectifier
товару немає в наявності
RQ5RW18RB-TR
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19B-FARICOH
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TRRICOH2000
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TRRICOH
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TRRICOHSOT343-1B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TR SOT343-1BRICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.9V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW19BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 40.48 грн
100+ 26.69 грн
500+ 22.71 грн
1000+ 18.17 грн
3000+ 17.1 грн
6000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5RW19BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 1.9V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.9V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
10+ 37.63 грн
25+ 35.37 грн
100+ 27.07 грн
250+ 25.14 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5RW19BA-TRSOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA-TRSOT343-1B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19BA/1B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW19CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW20AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW20AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW20BA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW20BA-TR
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW20BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW20BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW20BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
10+ 37.63 грн
25+ 35.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5RW20BA/7A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW20CA-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW20CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW20CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5RW21AA-TR-FA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW21AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW21AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW21AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2.1V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW21BA-TR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW21BA-TR-FRICOHSOT343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW21BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 2.1V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.09V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW21BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW22AA-TR-FRICOHSOT23
на замовлення 345000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW22AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW22AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW22BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW22BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW23BA-TR-FRICOH06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW23BA-TR-FRICOH09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW23BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW24AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW24BA-TRRICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW24BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW24CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW25AA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25AA-TR
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW25BA-TRRICOH2003
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TRRICOH
на замовлення 40230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TRRICOH2001 SOT23
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TRRICOH09+
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TR-FARICOH09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TR-FARICOH06+
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TR-FARICOHSOT-343
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW25BA-TR/7FES
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25BA/7FEZRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25CA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25CA-TRRICOH
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25CA-TR-FA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW25CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5RW26AA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
RQ5RW26AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW26BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW26CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW27AARICOH
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW27AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW27BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW2813A-TR
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW28BARICOH04+ SOT343
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BARICOH
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TRRICOHSOT-343
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TRRICOH2003
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TRRICOH
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TR-F
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TR-FA
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW28BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW29B
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW29BA
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW29BA-TRRICOH
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW29CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW30AARICOH04+ SOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30AA-TRRICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30AA-TRRICOH04+ SOT343
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30AA-TR(2AEF)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW30BA-TRRICOH04+
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30BA-TR-FRICOH2006
на замовлення 1686 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30BA-TR-FARICOH04PB
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW30BA/8ADYRICOH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW30CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW30CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 3V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.06V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 43.99 грн
25+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5RW30CA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 3V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.06V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW313A-TR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW31BA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW31BA-TR
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW31BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW31BA-TR/8B
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW32BA-TR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW32BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW32BA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
RQ5RW32CA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
RQ5RW32CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW33AA-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33AA-TR-F
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33AA-TR-FARICOHSOT343
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5RW33BACEXTRON9941 QFP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BARICOH
на замовлення 21700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BALATTICE826
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BARICOH1001 SOT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA-TRRICOH2002+
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA-TRRICOH2001
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA-TR-FARICOHSOT343
на замовлення 142642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA-TR-FARICOH
на замовлення 57730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5RW33BA/8DGFRICOH09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA/8DGFRICOH
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33BA\8DGFRICOHSOT-343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33CA-TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW33CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW34BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW34BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW35AA-TR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW35AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW35BARICOH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW35BA-TRRICOH09+
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW35BA-TRRICOH07+
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW35BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW37BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW38BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW40AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW40AA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 43.99 грн
25+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5RW40AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW40BARICOH
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW40BA-TRRICOHSOT-343
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW40BA-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.Description: IC REG LINEAR 4V 50MA SC82AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82AB
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 50mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 µA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.04V @ 1mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
RQ5RW40BA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.91 грн
10+ 45.62 грн
100+ 30.45 грн
250+ 28.32 грн
500+ 24.06 грн
1000+ 19.3 грн
3000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5RW42BA-TR-FRICOHHSOT23-4
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW42BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW43CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW45AA-TR-FENisshinboLDO Voltage Regulators Low Supply Current 8V Input Voltage Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW45AA-TR-FERICOH Electronic Devices Co., LTD.Description: LOW SUPPLY CURRENT 8V INPUT VOLT
товару немає в наявності
RQ5RW45BARICOH
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW45BARICOH09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW45BARICOH07+ SOT-343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW45BA-TRRICOH
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW45BA-TRRICOH04+ SOT-343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW45BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RQ5RW46BA-TR-FRICOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW46BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW48BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW50AA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW50BARICOH
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW50BA-TRRICOH
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW50BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW50CA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності
RQ5RW60BA-TRRICOH
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ5RW60BA-TR-FERicoh Electronic Devices CompanyLDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
товару немає в наявності