RQ5A030APTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.61 грн |
| 6000+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5A030APTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5A030APTL за ціною від 6.4 грн до 35.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5A030APTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5A030APTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V |
на замовлення 21005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5A030APTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs -12V P-CHANNEL -3A |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5A030APTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ5A030APTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -9A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -9A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RQ5A030APTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; Idm: -9A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -9A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -12V Drain current: -3A |
товар відсутній |