RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.41 грн |
| 10+ | 44.31 грн |
| 100+ | 30.68 грн |
| 500+ | 24.05 грн |
| 1000+ | 20.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5L035GNTCL за ціною від 17.56 грн до 63.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5L035GNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RQ5L035GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications. |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5L035GNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5L035GNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.038 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ5L035GNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RQ5L035GNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RQ5L035GNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |