Продукція > ROHM > RQ5E065AJTCL
RQ5E065AJTCL

RQ5E065AJTCL ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.73 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 17.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5E065AJTCL ROHM

Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5E065AJTCL за ціною від 17.02 грн до 59.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Виробник : ROHM Description: ROHM - RQ5E065AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.0137 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.87 грн
21+ 39.3 грн
100+ 28.73 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 17.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Виробник : Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.02 грн
10+ 46.98 грн
100+ 32.52 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 21.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Виробник : ROHM Semiconductor MOSFET RQ5E065AJ is a Small Signal MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.17 грн
10+ 51.45 грн
100+ 34.38 грн
500+ 27.19 грн
1000+ 21.72 грн
3000+ 19.64 грн
9000+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Виробник : Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товар відсутній