RQ5E030RPTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 27.27 грн |
| 500+ | 19.93 грн |
| 1000+ | 12.93 грн |
| 5000+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5E030RPTL ROHM
Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5E030RPTL за ціною від 12.17 грн до 50.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5E030RPTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET P-CHANNEL -30V 3A |
на замовлення 11359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5E030RPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5E030RPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RQ5E030RPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RQ5E030RPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RQ5E030RPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A |
товар відсутній |