RQ5E040TNTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 26.71 грн |
| 500+ | 20.08 грн |
| 1000+ | 12.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5E040TNTL ROHM
Description: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5E040TNTL за ціною від 12.8 грн до 53.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5E040TNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RQ5E040TNTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 30V N-CHANNEL 4A |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RQ5E040TNTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E040TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RQ5E040TNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
RQ5E040TNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| RQ5E040TNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A |
товар відсутній |