RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.6 грн |
| 6000+ | 9.69 грн |
| 9000+ | 9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5E030AJTCL за ціною від 8.68 грн до 37.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5E030AJTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5E030AJTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V |
на замовлення 13933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5E030AJTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 30V 3Ad Si MOSFET |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ5E030AJTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E030AJTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.057 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RQ5E030AJTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 6A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Case: TSMT3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RQ5E030AJTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 6A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Case: TSMT3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A On-state resistance: 109mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |