RQ5L015SPTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 23.08 грн |
500+ | 19.56 грн |
1500+ | 16.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5L015SPTL ROHM
Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5L015SPTL за ціною від 9.28 грн до 35.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RQ5L015SPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RQ5L015SPTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET |
на замовлення 107106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RQ5L015SPTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3 |
на замовлення 4951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RQ5L015SPTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RQ5L015SPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RQ5L015SPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A |
товар відсутній |