Продукція > ROHM > RQ5L015SPTL
RQ5L015SPTL

RQ5L015SPTL ROHM


rq5l015sp-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.08 грн
500+ 19.56 грн
1500+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5L015SPTL ROHM

Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5L015SPTL за ціною від 9.28 грн до 35.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : ROHM rq5l015sp-e.pdf Description: ROHM - RQ5L015SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.94 грн
50+ 29.05 грн
100+ 23.08 грн
500+ 19.56 грн
1500+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : ROHM Semiconductor rq5l015sp-e.pdf MOSFETs Pch -60V -1.5A Middle Power MOSFET
на замовлення 107106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.92 грн
12+ 28.79 грн
100+ 18.27 грн
500+ 14.53 грн
1000+ 11.87 грн
3000+ 9.78 грн
9000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5l015sp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Виробник : Rohm Semiconductor rq5l015sp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ5L015SPTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq5l015sp-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ5L015SPTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq5l015sp-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.5A
товар відсутній