RQ5C025TPTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 23.24 грн |
| 500+ | 13.94 грн |
| 1500+ | 12.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5C025TPTL ROHM
Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ5C025TPTL за ціною від 12.66 грн до 35.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ5C025TPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RQ5C025TPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
RQ5C025TPTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RQ5C025TPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 |
товар відсутній |