RQ5E025ATTCL

RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5E025ATTCL за ціною від 7.12 грн до 40.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.93 грн
500+ 11.39 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 11144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.1 грн
12+ 26.31 грн
100+ 15.76 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL Виробник : ROHM Semiconductor rq5e025at-1873117.pdf MOSFETs Pch -30V -2.5A Si MOSFET
на замовлення 26320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.7 грн
14+ 23.2 грн
100+ 12.41 грн
1000+ 9.45 грн
3000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5E025ATTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.59 грн
31+ 25.56 грн
100+ 13.93 грн
500+ 11.39 грн
1000+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 20