Продукція > ROHM > RQ5L030SNTL
RQ5L030SNTL

RQ5L030SNTL ROHM

datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.72 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5L030SNTL ROHM

Description: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5L030SNTL за ціною від 15.38 грн до 48.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.02 грн
10+ 37.99 грн
100+ 26.28 грн
500+ 20.6 грн
1000+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5L030SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.06 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.9 грн
50+ 37.35 грн
100+ 28.72 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ5L030SN is a Small Signal MOSFET with Low on - resistance, suitable for DC/DC converters.
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.97 грн
10+ 42.59 грн
100+ 25.61 грн
500+ 21.37 грн
1000+ 18.2 грн
3000+ 16.22 грн
6000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ5L030SNTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ5L030SNTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній