RQ5E015RPTL ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFET RQ5E015RP is a Small Signal MOSFET featuring low-on resistance and Built-in G-S Protection Diode. It is suitable for switching.
на замовлення 9749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.64 грн |
| 10+ | 37.23 грн |
| 100+ | 24.17 грн |
| 500+ | 18.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ5E015RPTL ROHM Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3, On-state resistance: 0.27Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 3.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -6A, Mounting: SMD, Case: TSMT3, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -1.5A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RQ5E015RPTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ5E015RPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| RQ5E015RPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3 On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A |
товар відсутній |