RQ5H025TNTL

RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ5H025TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.81 грн
6000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RQ5H025TNTL за ціною від 11.76 грн до 48.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ5H025TNTL RQ5H025TNTL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5H025TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.55 грн
500+ 18.52 грн
1000+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ5H025TNTL RQ5H025TNTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5H025TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 10359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 33.75 грн
100+ 23.44 грн
500+ 17.17 грн
1000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H025TNTL RQ5H025TNTL Виробник : ROHM Semiconductor rq5h025tntl-e-1873332.pdf MOSFET 45V N-CHANNEL 2.5A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.1 грн
10+ 38.07 грн
100+ 24.74 грн
500+ 19.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ5H025TNTL RQ5H025TNTL Виробник : ROHM datasheet?p=RQ5H025TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5H025TNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.02 грн
20+ 40.76 грн
100+ 25.55 грн
500+ 18.52 грн
1000+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
RQ5H025TNTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5H025TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ5H025TNTL SMD N channel transistors
товар відсутній