Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6219) > Сторінка 89 з 104

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 104  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MURS160BJ MURS160BJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204970.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MURS160BJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.28 грн
500+ 7.11 грн
1500+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
Z0107NN0,135 Z0107NN0,135 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001810663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.92 грн
33+ 24.52 грн
100+ 13.96 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
Z0107NN0,135 Z0107NN0,135 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001810663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.96 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BYV32EB-200,118 BYV32EB-200,118 WEEN SEMICONDUCTORS byv32eb-200.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.62 грн
250+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
WG40N65DFWQ WG40N65DFWQ WEEN SEMICONDUCTORS 3928015.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.56 грн
10+ 160.06 грн
100+ 130.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
TYN16-600CTFQ TYN16-600CTFQ WEEN SEMICONDUCTORS 3689930.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - TYN16-600CTFQ - Thyristor, 600 V, 10 mA, 10.2 A, 16 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: NO
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 188A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 10.2A
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.61 грн
27+ 30.28 грн
100+ 25.07 грн
500+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
Z0103NN0,135 Z0103NN0,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623956.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.68 грн
36+ 21.92 грн
100+ 11.51 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 5.74 грн
5000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 29
Z0103NN0,135 Z0103NN0,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623956.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.51 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 5.74 грн
5000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2724526.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.77 грн
16+ 49.67 грн
100+ 31.3 грн
500+ 24.31 грн
1000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
BYV20MX-650PQ BYV20MX-650PQ WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 23ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 275A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.47 грн
21+ 38.95 грн
100+ 32.25 грн
500+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS bt136s-600d.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.38 грн
29+ 27.52 грн
100+ 22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
WNSC2D08650Q WNSC2D08650Q WEEN SEMICONDUCTORS 3672596.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.69 грн
10+ 146.65 грн
100+ 116.69 грн
500+ 92.25 грн
1000+ 70.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
WNSC2D04650XQ WNSC2D04650XQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204983.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.92 грн
10+ 81.21 грн
100+ 64.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
WNSC2D06650XQ WNSC2D06650XQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204986.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.58 грн
11+ 73.8 грн
100+ 60.87 грн
500+ 50.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
WNSC2D10650XQ WNSC2D10650XQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204992.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.69 грн
10+ 132.46 грн
100+ 110.38 грн
500+ 91.52 грн
1000+ 75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
BYQ60W-600PT2Q BYQ60W-600PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS BYQ60W-600PT2.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYQ60W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 60 A, Einfach, 2 V, 53 ns, 660 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 660A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: 53ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.23 грн
10+ 170.31 грн
100+ 135.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WEEN SEMICONDUCTORS 2724493.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.58 грн
28+ 28.94 грн
100+ 11.35 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.18 грн
5000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D20650CW.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.83 грн
10+ 259.4 грн
100+ 178.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D20650W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.12 грн
10+ 304.35 грн
100+ 231.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650CW6Q WNSC6D20650CW6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D20650CW.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.63 грн
10+ 249.15 грн
100+ 206.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D20650B.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.42 грн
10+ 298.04 грн
100+ 252.31 грн
500+ 226.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D20650B.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+252.31 грн
500+ 226.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204984.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
WNSC04650T6J WNSC04650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204976.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.67 грн
11+ 75.22 грн
100+ 59.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204982.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.2 грн
20+ 40.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204982.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC10650T6J WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204979.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.17 грн
10+ 128.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
WNSC10650T6J WNSC10650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204979.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204988.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204985.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204977.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.21 грн
10+ 102.5 грн
100+ 81.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
WNSC04650T6J WNSC04650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204976.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650TJ WNSC2D06650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204985.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650TJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204988.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204977.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.38 грн
29+ 27.52 грн
100+ 22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.02 грн
10+ 53.67 грн
27+ 32.21 грн
74+ 30.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.23 грн
10+ 50.37 грн
26+ 33.39 грн
71+ 31.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
11+ 34.12 грн
25+ 29.87 грн
31+ 27.53 грн
85+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors bt152-800r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.9 грн
10+ 57.4 грн
22+ 39.02 грн
61+ 36.9 грн
500+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.71 грн
28+ 13.4 грн
50+ 8.48 грн
100+ 6.87 грн
203+ 4.19 грн
556+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
10+ 44.81 грн
33+ 26.21 грн
90+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors phe13009.pdf PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
товар відсутній
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors mac97a6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.08 грн
23+ 15.96 грн
30+ 12.59 грн
100+ 8.35 грн
158+ 5.42 грн
434+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
BTA225-800B,127 BTA225-800B,127 WeEn Semiconductors BTA225-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.42 грн
10+ 65.89 грн
21+ 41.73 грн
57+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors bta204-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.81 грн
17+ 22.84 грн
18+ 20.5 грн
30+ 18.16 грн
50+ 17.42 грн
100+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors BT151-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.12 грн
14+ 27.53 грн
45+ 18.96 грн
124+ 17.94 грн
1000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.04 грн
12+ 31.92 грн
25+ 25.55 грн
39+ 22.33 грн
106+ 21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA41-800BQ BTA41-800BQ WeEn Semiconductors BTA41-800B.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.27 грн
3+ 166.93 грн
7+ 128.12 грн
19+ 121.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BT137-600,127 BT137-600,127 WeEn Semiconductors BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.9 грн
14+ 26.28 грн
42+ 20.65 грн
100+ 20.21 грн
114+ 19.48 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
BT137-600/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600D,127 BT137-600D,127 WeEn Semiconductors BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.37 грн
42+ 20.43 грн
115+ 19.33 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
BT137-600E,127 BT137-600E,127 WeEn Semiconductors BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.1 грн
10+ 36.83 грн
42+ 20.65 грн
114+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
BT137-600E/DG WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600E/L01,127 WeEn Semiconductors bt137-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600G,127 BT137-600G,127 WeEn Semiconductors bt137-600g.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.38 грн
40+ 21.6 грн
109+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
BT137-600G0TQ WeEn Semiconductors bt137-600g0t.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C,127 WeEn Semiconductors BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.01 грн
22+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
MURS160BJ 3204970.pdf
MURS160BJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MURS160BJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.28 грн
500+ 7.11 грн
1500+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
Z0107NN0,135 WEEN-S-A0001810663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Z0107NN0,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.92 грн
33+ 24.52 грн
100+ 13.96 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
Z0107NN0,135 WEEN-S-A0001810663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Z0107NN0,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.96 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BYV32EB-200,118 byv32eb-200.pdf
BYV32EB-200,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.62 грн
250+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
WG40N65DFWQ 3928015.pdf
WG40N65DFWQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+221.56 грн
10+ 160.06 грн
100+ 130.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
TYN16-600CTFQ 3689930.pdf
TYN16-600CTFQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - TYN16-600CTFQ - Thyristor, 600 V, 10 mA, 10.2 A, 16 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: NO
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 188A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 10.2A
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.61 грн
27+ 30.28 грн
100+ 25.07 грн
500+ 20.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
Z0103NN0,135 2623956.pdf
Z0103NN0,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.68 грн
36+ 21.92 грн
100+ 11.51 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 5.74 грн
5000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 29
Z0103NN0,135 2623956.pdf
Z0103NN0,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.51 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 5.74 грн
5000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BTA204S-800E,118 2724526.pdf
BTA204S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.77 грн
16+ 49.67 грн
100+ 31.3 грн
500+ 24.31 грн
1000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
BYV20MX-650PQ
BYV20MX-650PQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 23ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 275A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.47 грн
21+ 38.95 грн
100+ 32.25 грн
500+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
BT136S-600D,118 bt136s-600d.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.38 грн
29+ 27.52 грн
100+ 22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
WNSC2D08650Q 3672596.pdf
WNSC2D08650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+198.69 грн
10+ 146.65 грн
100+ 116.69 грн
500+ 92.25 грн
1000+ 70.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
WNSC2D04650XQ 3204983.pdf
WNSC2D04650XQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.92 грн
10+ 81.21 грн
100+ 64.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
WNSC2D06650XQ 3204986.pdf
WNSC2D06650XQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+83.58 грн
11+ 73.8 грн
100+ 60.87 грн
500+ 50.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
WNSC2D10650XQ 3204992.pdf
WNSC2D10650XQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+157.69 грн
10+ 132.46 грн
100+ 110.38 грн
500+ 91.52 грн
1000+ 75.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
BYQ60W-600PT2Q BYQ60W-600PT2.pdf
BYQ60W-600PT2Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYQ60W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 60 A, Einfach, 2 V, 53 ns, 660 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 660A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: 53ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+230.23 грн
10+ 170.31 грн
100+ 135.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
BT1308W-600D,115 2724493.pdf
BT1308W-600D,115
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.58 грн
28+ 28.94 грн
100+ 11.35 грн
500+ 8.64 грн
1000+ 6.18 грн
5000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+298.83 грн
10+ 259.4 грн
100+ 178.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+361.12 грн
10+ 304.35 грн
100+ 231.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650CW6Q WNSC6D20650CW.pdf
WNSC6D20650CW6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+284.63 грн
10+ 249.15 грн
100+ 206.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B.pdf
WNSC6D20650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+326.42 грн
10+ 298.04 грн
100+ 252.31 грн
500+ 226.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B.pdf
WNSC6D20650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+252.31 грн
500+ 226.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650DJ 3204984.pdf
WNSC2D06650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
WNSC04650T6J 3204976.pdf
WNSC04650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.67 грн
11+ 75.22 грн
100+ 59.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
WNSC2D04650TJ 3204982.pdf
WNSC2D04650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+49.2 грн
20+ 40.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
WNSC2D04650TJ 3204982.pdf
WNSC2D04650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC10650T6J 3204979.pdf
WNSC10650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+152.17 грн
10+ 128.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
WNSC10650T6J 3204979.pdf
WNSC10650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+128.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D08650TJ 3204988.pdf
WNSC2D08650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650TJ 3204985.pdf
WNSC2D06650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC06650T6J 3204977.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.21 грн
10+ 102.5 грн
100+ 81.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
WNSC04650T6J 3204976.pdf
WNSC04650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
WNSC2D06650TJ 3204985.pdf
WNSC2D06650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 15
WNSC2D08650TJ 3204988.pdf
WNSC2D08650TJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+68.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
WNSC06650T6J 3204977.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.38 грн
29+ 27.52 грн
100+ 22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.79 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.15 грн
5000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.02 грн
10+ 53.67 грн
27+ 32.21 грн
74+ 30.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.23 грн
10+ 50.37 грн
26+ 33.39 грн
71+ 31.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
11+ 34.12 грн
25+ 29.87 грн
31+ 27.53 грн
85+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
BT152-800R,127 bt152-800r.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+74.9 грн
10+ 57.4 грн
22+ 39.02 грн
61+ 36.9 грн
500+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+19.71 грн
28+ 13.4 грн
50+ 8.48 грн
100+ 6.87 грн
203+ 4.19 грн
556+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
PHE13009,127 phe13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
10+ 44.81 грн
33+ 26.21 грн
90+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
PHE13009/DG,127 phe13009.pdf PHGLS23268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
товар відсутній
MAC97A6,116 mac97a6.pdf
MAC97A6,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
MAC97A6,412 mac97a6.pdf
MAC97A6,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.08 грн
23+ 15.96 грн
30+ 12.59 грн
100+ 8.35 грн
158+ 5.42 грн
434+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
BTA225-800B,127 BTA225-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA225-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.42 грн
10+ 65.89 грн
21+ 41.73 грн
57+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
BTA204-800B,127 bta204-800b.pdf
BTA204-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+26.81 грн
17+ 22.84 грн
18+ 20.5 грн
30+ 18.16 грн
50+ 17.42 грн
100+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT151-500R,127 BT151-500R.pdf
BT151-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.12 грн
14+ 27.53 грн
45+ 18.96 грн
124+ 17.94 грн
1000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BT151-500RT,127 BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf
BT151-500RT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.04 грн
12+ 31.92 грн
25+ 25.55 грн
39+ 22.33 грн
106+ 21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
BTA41-800BQ BTA41-800B.pdf
BTA41-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.27 грн
3+ 166.93 грн
7+ 128.12 грн
19+ 121.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BT137-600,127 BT137-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.9 грн
14+ 26.28 грн
42+ 20.65 грн
100+ 20.21 грн
114+ 19.48 грн
500+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
BT137-600/L01,127 bt137-600.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600D,127 BT137-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+43.37 грн
42+ 20.43 грн
115+ 19.33 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
BT137-600E,127 BT137-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT137-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+48.1 грн
10+ 36.83 грн
42+ 20.65 грн
114+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
BT137-600E/DG bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600E/L01,127 bt137-600e.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600G,127 bt137-600g.pdf
BT137-600G,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.38 грн
40+ 21.6 грн
109+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
BT137-600G0TQ bt137-600g0t.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA416Y-600C,127 BTA416Y-600C.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA416Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.01 грн
22+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 100 104  [ Наступна Сторінка >> ]