Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6219) > Сторінка 89 з 104
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURS160BJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 38A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
Z0107NN0,135 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
Z0107NN0,135 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32EB-200,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 137A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WG40N65DFWQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TYN16-600CTFQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 rohsCompliant: NO Haltestrom, max.: 40mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 188A usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 10.2A RMS-Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 10mA productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
Z0103NN0,135 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 7mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
Z0103NN0,135 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SOT-223 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 7mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA204S-800E,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 12mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV20MX-650PQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 23ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 275A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 2.2V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT136S-600D,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SOT-428 rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D08650Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: NO Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D04650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D10650XQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYQ60W-600PT2Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 660A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: 53ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT1308W-600D,115 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: SC-73 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800mA Zündspannung, max.: 1.5V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D20650CWQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC6D20650WQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 65nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC6D20650CW6Q | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC6D20650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC6D20650B6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 36nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650DJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC04650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D04650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D04650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC10650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC10650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D08650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC04650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D08650TJ | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC06650T6J | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT136S-600D,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 4A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT136S productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT136S-600D,118 | WEEN SEMICONDUCTORS |
![]() tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-252 (DPAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 4A Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT136S productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA16-600BQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 50/70mA Max. forward impulse current: 160A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA16-800BQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 50/70mA Max. forward impulse current: 160A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA408X-1000C0TQ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Technology: 3Q; Hi-Com Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1kV Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate Gate current: 35mA Type of thyristor: triac Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 100A |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT152-800R,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 20A Load current: 13A Gate current: 3mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 200A Turn-on time: 2µs |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT169D,112 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: bulk Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Gate current: 50mA Max. forward impulse current: 8A Turn-on time: 2µs |
на замовлення 4479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Heatsink thickness: max. 1.3mm Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
MAC97A6,116 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA225-800B,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 25A Case: TO220AB Gate current: 50mA Max. forward impulse current: 190A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA204-800B,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 50mA Max. forward impulse current: 25A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT151-500R,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 500V Max. load current: 12A Load current: 7.5A Gate current: 2mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 120A Turn-on time: 2µs |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT151-500RT,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 500V Max. load current: 12.5A Load current: 8A Gate current: 2mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 120A Turn-on time: 2µs |
на замовлення 4422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BTA41-800BQ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 40A Case: SOT1292; TO3P Gate current: 50/70mA Max. forward impulse current: 0.4kA Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT137-600,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BT137-600/L01,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
BT137-600D,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 5/10mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BT137-600E,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BT137-600E/DG | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
BT137-600E/L01,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 10/25mA Max. forward impulse current: 25A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
BT137-600G,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 50/100mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BT137-600G0TQ | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 500V Max. load current: 8A Case: TO220AB Gate current: 50/100mA Max. forward impulse current: 65A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: high temperature Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
BTA416Y-600C,127 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Case: TO220AB Gate current: 35mA Max. forward impulse current: 160A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
MURS160BJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MURS160BJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MURS160BJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 11.28 грн |
500+ | 7.11 грн |
1500+ | 6.43 грн |
Z0107NN0,135 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 37.92 грн |
33+ | 24.52 грн |
100+ | 13.96 грн |
500+ | 9.88 грн |
1000+ | 6.24 грн |
Z0107NN0,135 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0107NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.96 грн |
500+ | 9.88 грн |
1000+ | 6.24 грн |
BYV32EB-200,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 51.62 грн |
250+ | 46.7 грн |
WG40N65DFWQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N65DFWQ - IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 221.56 грн |
10+ | 160.06 грн |
100+ | 130.1 грн |
TYN16-600CTFQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - TYN16-600CTFQ - Thyristor, 600 V, 10 mA, 10.2 A, 16 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: NO
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 188A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 10.2A
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - TYN16-600CTFQ - Thyristor, 600 V, 10 mA, 10.2 A, 16 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: NO
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 188A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 10.2A
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.61 грн |
27+ | 30.28 грн |
100+ | 25.07 грн |
500+ | 20.94 грн |
Z0103NN0,135 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 27.68 грн |
36+ | 21.92 грн |
100+ | 11.51 грн |
500+ | 8.42 грн |
1000+ | 5.74 грн |
5000+ | 5.14 грн |
Z0103NN0,135 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - Z0103NN0,135 - Triac, 800 V, 1 A, SOT-223, 1 V, 13.8 A, 7 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 7mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 13.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 11.51 грн |
500+ | 8.42 грн |
1000+ | 5.74 грн |
5000+ | 5.14 грн |
BTA204S-800E,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 59.77 грн |
16+ | 49.67 грн |
100+ | 31.3 грн |
500+ | 24.31 грн |
1000+ | 16.96 грн |
BYV20MX-650PQ |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 23ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 275A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV20MX-650PQ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Einfach, 2.2 V, 23 ns, 275 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 23ns
rohsCompliant: YES
Durchlassstoßstrom: 275A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 44.47 грн |
21+ | 38.95 грн |
100+ | 32.25 грн |
500+ | 26.87 грн |
BT136S-600D,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 31.38 грн |
29+ | 27.52 грн |
100+ | 22.79 грн |
500+ | 18.96 грн |
1000+ | 16.15 грн |
5000+ | 15.48 грн |
WNSC2D08650Q |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: NO
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 198.69 грн |
10+ | 146.65 грн |
100+ | 116.69 грн |
500+ | 92.25 грн |
1000+ | 70.96 грн |
WNSC2D04650XQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.92 грн |
10+ | 81.21 грн |
100+ | 64.02 грн |
WNSC2D06650XQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 83.58 грн |
11+ | 73.8 грн |
100+ | 60.87 грн |
500+ | 50.74 грн |
WNSC2D10650XQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 157.69 грн |
10+ | 132.46 грн |
100+ | 110.38 грн |
500+ | 91.52 грн |
1000+ | 75.69 грн |
BYQ60W-600PT2Q |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYQ60W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 60 A, Einfach, 2 V, 53 ns, 660 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 660A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: 53ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYQ60W-600PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 60 A, Einfach, 2 V, 53 ns, 660 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 660A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2V
Sperrverzögerungszeit: 53ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 230.23 грн |
10+ | 170.31 грн |
100+ | 135.62 грн |
BT1308W-600D,115 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT1308W-600D,115 - Triac, 600 V, 800 mA, SC-73, 1.5 V, 9 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SC-73
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.58 грн |
28+ | 28.94 грн |
100+ | 11.35 грн |
500+ | 8.64 грн |
1000+ | 6.18 грн |
5000+ | 6.06 грн |
WNSC2D20650CWQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 298.83 грн |
10+ | 259.4 грн |
100+ | 178.19 грн |
WNSC6D20650WQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 65 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 65nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 361.12 грн |
10+ | 304.35 грн |
100+ | 231.81 грн |
WNSC6D20650CW6Q |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 284.63 грн |
10+ | 249.15 грн |
100+ | 206.58 грн |
WNSC6D20650B6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 326.42 грн |
10+ | 298.04 грн |
100+ | 252.31 грн |
500+ | 226.23 грн |
WNSC6D20650B6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D20650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 252.31 грн |
500+ | 226.23 грн |
WNSC2D06650DJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 49.91 грн |
WNSC04650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 90.67 грн |
11+ | 75.22 грн |
100+ | 59.61 грн |
WNSC2D04650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 49.2 грн |
20+ | 40.29 грн |
WNSC2D04650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 40.29 грн |
WNSC10650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 152.17 грн |
10+ | 128.52 грн |
WNSC10650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 128.52 грн |
WNSC2D08650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 68.6 грн |
WNSC2D06650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 53.77 грн |
WNSC06650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 122.21 грн |
10+ | 102.5 грн |
100+ | 81.21 грн |
WNSC04650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC04650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 59.61 грн |
WNSC2D06650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 53.77 грн |
WNSC2D08650TJ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 68.6 грн |
WNSC06650T6J |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC06650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 81.21 грн |
BT136S-600D,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 31.38 грн |
29+ | 27.52 грн |
100+ | 22.79 грн |
500+ | 18.96 грн |
1000+ | 16.15 грн |
5000+ | 15.48 грн |
BT136S-600D,118 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 22.79 грн |
500+ | 18.96 грн |
1000+ | 16.15 грн |
5000+ | 15.48 грн |
BTA16-600BQ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.02 грн |
10+ | 53.67 грн |
27+ | 32.21 грн |
74+ | 30.46 грн |
BTA16-800BQ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 66.23 грн |
10+ | 50.37 грн |
26+ | 33.39 грн |
71+ | 31.56 грн |
BTA408X-1000C0TQ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1kV
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Gate current: 35mA
Type of thyristor: triac
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 100A
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.04 грн |
11+ | 34.12 грн |
25+ | 29.87 грн |
31+ | 27.53 грн |
85+ | 26.06 грн |
BT152-800R,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 74.9 грн |
10+ | 57.4 грн |
22+ | 39.02 грн |
61+ | 36.9 грн |
500+ | 36.53 грн |
BT169D,112 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 19.71 грн |
28+ | 13.4 грн |
50+ | 8.48 грн |
100+ | 6.87 грн |
203+ | 4.19 грн |
556+ | 3.96 грн |
PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.04 грн |
10+ | 44.81 грн |
33+ | 26.21 грн |
90+ | 24.75 грн |
PHE13009/DG,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
товар відсутній
MAC97A6,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.08 грн |
23+ | 15.96 грн |
30+ | 12.59 грн |
100+ | 8.35 грн |
158+ | 5.42 грн |
434+ | 5.12 грн |
BTA225-800B,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 25A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 190A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.42 грн |
10+ | 65.89 грн |
21+ | 41.73 грн |
57+ | 39.54 грн |
BTA204-800B,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 26.81 грн |
17+ | 22.84 грн |
18+ | 20.5 грн |
30+ | 18.16 грн |
50+ | 17.42 грн |
100+ | 16.25 грн |
BT151-500R,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 33.12 грн |
14+ | 27.53 грн |
45+ | 18.96 грн |
124+ | 17.94 грн |
1000+ | 17.13 грн |
BT151-500RT,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 4422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.04 грн |
12+ | 31.92 грн |
25+ | 25.55 грн |
39+ | 22.33 грн |
106+ | 21.09 грн |
BTA41-800BQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 40A; SOT1292,TO3P; Igt: 50/70mA; Ifsm: 400A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Case: SOT1292; TO3P
Gate current: 50/70mA
Max. forward impulse current: 0.4kA
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.27 грн |
3+ | 166.93 грн |
7+ | 128.12 грн |
19+ | 121.54 грн |
BT137-600,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 33.9 грн |
14+ | 26.28 грн |
42+ | 20.65 грн |
100+ | 20.21 грн |
114+ | 19.48 грн |
500+ | 18.96 грн |
BT137-600/L01,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600D,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 5/10mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 5/10mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 43.37 грн |
42+ | 20.43 грн |
115+ | 19.33 грн |
1000+ | 18.6 грн |
BT137-600E,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 48.1 грн |
10+ | 36.83 грн |
42+ | 20.65 грн |
114+ | 19.48 грн |
BT137-600E/DG |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 65A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600E/L01,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BT137-600G,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.38 грн |
40+ | 21.6 грн |
109+ | 20.43 грн |
BT137-600G0TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 500V; 8A; TO220AB; Igt: 50/100mA; Ifsm: 65A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50/100mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
BTA416Y-600C,127 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 160A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 53.01 грн |
22+ | 39.9 грн |