WNSC04650T6J

WNSC04650T6J WeEn Semiconductors


WNSC04650T.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.02 грн
10+ 134.07 грн
100+ 107.73 грн
500+ 83.06 грн
1000+ 69.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC04650T6J WeEn Semiconductors

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: DFN8x8N, Kind of package: reel; tape, Max. forward impulse current: 24A, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції WNSC04650T6J за ціною від 63.27 грн до 160.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WNSC04650T6J WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T-1830545.pdf Schottky Diodes & Rectifiers WNSC04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.89 грн
10+ 141.49 грн
100+ 99.37 грн
500+ 81.12 грн
1000+ 67.33 грн
3000+ 63.54 грн
6000+ 63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC04650T6J WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товар відсутній
WNSC04650T6J Виробник : WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній