![WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3713/1740_4DFN-%2C90-8x8__4.jpg)
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors
![WNSC6D20650B.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 170.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC6D20650B6J за ціною від 168.21 грн до 256.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC6D20650B6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
WNSC6D20650B6J | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
WNSC6D20650B6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
WNSC6D20650B6J | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.8V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |