![WNSC2D06650XQ WNSC2D06650XQ](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO220FULLPACK-40.jpg)
WNSC2D06650XQ WEEN SEMICONDUCTORS
![3204986.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 84.8 грн |
11+ | 74.88 грн |
100+ | 61.76 грн |
500+ | 51.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D06650XQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220F, Kapazitive Gesamtladung: 9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції WNSC2D06650XQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
WNSC2D06650XQ | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
WNSC2D06650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 30A Load current: 6A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D06650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D06650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D06650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Technology: SiC Case: TO220FP-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 30A Load current: 6A |
товар відсутній |