![WNSC2D06650DJ WNSC2D06650DJ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/568_DPak.jpg)
WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
![WNSC2D06650D.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 54.53 грн |
5000+ | 50.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D06650DJ за ціною від 51.87 грн до 121.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 12201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
WNSC2D06650DJ | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 36A Load current: 6A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
WNSC2D06650DJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape Technology: SiC Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 36A Load current: 6A |
товар відсутній |