![WNSC2D10650XQ WNSC2D10650XQ](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO220FULLPACK-40.jpg)
WNSC2D10650XQ WEEN SEMICONDUCTORS
![3204992.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 157.69 грн |
10+ | 132.46 грн |
100+ | 110.38 грн |
500+ | 91.52 грн |
1000+ | 75.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D10650XQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220F, Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції WNSC2D10650XQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D10650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D10650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D10650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товар відсутній |
|
![]() |
WNSC2D10650XQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube |
товар відсутній |