PHE13009/DG,127 WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.43 грн |
| 22+ | 34.5 грн |
| 100+ | 28.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13009/DG,127 WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PHE13009/DG,127 за ціною від 19.4 грн до 63.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Heatsink thickness: max. 1.3mm Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Heatsink thickness: max. 1.3mm Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 12A Type of transistor: NPN |
товар відсутній |