![WNSC2D04650TJ WNSC2D04650TJ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3842/1740~4DFN-,90-8x8~~4.jpg)
WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors
![WNSC2D04650T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 43.81 грн |
6000+ | 40.18 грн |
9000+ | 38.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650TJ WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: 5-DFN (8x8), Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D04650TJ за ціною від 42.06 грн до 106.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 10530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
WNSC2D04650TJ | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8N Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
WNSC2D04650TJ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DFN8x8N; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: DFN8x8N Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 24A |
товар відсутній |