Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1533) > Сторінка 17 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.35 грн
12+ 33.42 грн
25+ 26 грн
48+ 18.28 грн
132+ 17.31 грн
3000+ 16.71 грн
12000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товар відсутній
PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.91 грн
10+ 30.25 грн
25+ 17.8 грн
75+ 13.85 грн
207+ 13.04 грн
6000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.26 грн
16+ 24.28 грн
26+ 14.84 грн
75+ 11.54 грн
207+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.51 грн
10+ 31.75 грн
69+ 15.47 грн
188+ 14.66 грн
1000+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.93 грн
15+ 25.48 грн
69+ 12.89 грн
188+ 12.21 грн
1000+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 35W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.51 грн
10+ 31.19 грн
69+ 15.2 грн
190+ 14.39 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 35W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.93 грн
15+ 25.03 грн
69+ 12.66 грн
190+ 11.99 грн
1000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.26 грн
10+ 30.07 грн
49+ 21.58 грн
134+ 20.41 грн
1000+ 19.69 грн
3000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.38 грн
16+ 24.13 грн
49+ 17.98 грн
134+ 17.01 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJE138K_R1_00001 PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 223mW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.68 грн
50+ 5.85 грн
225+ 4.65 грн
620+ 4.39 грн
4000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJE138K_R1_00001 PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 223mW
Polarisation: unipolar
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.57 грн
80+ 4.69 грн
225+ 3.87 грн
620+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; Features: ESD protection
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.66 грн
17+ 23.15 грн
25+ 17.83 грн
100+ 14.24 грн
164+ 5.32 грн
450+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; Features: ESD protection
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.8 грн
10+ 28.85 грн
25+ 21.4 грн
100+ 17.08 грн
164+ 6.38 грн
450+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2.8A
Mounting: SMD
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2.8A
Mounting: SMD
Case: SOT523
товар відсутній
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.14 грн
22+ 13.26 грн
100+ 8.36 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
4000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Case: SOT523
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.79 грн
36+ 10.64 грн
100+ 6.97 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.56 грн
33+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT523
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
товар відсутній
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товар відсутній
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
140+ 7.73 грн
375+ 7.28 грн
2500+ 7.19 грн
5000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
140+ 6.44 грн
375+ 6.07 грн
2500+ 5.99 грн
5000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.37 грн
390+ 7.01 грн
5000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.14 грн
390+ 5.84 грн
5000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.37 грн
390+ 7.01 грн
5000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.14 грн
390+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27.27÷30.14V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 27.27...30.14V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.46 грн
390+ 7.1 грн
5000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27.27÷30.14V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 27.27...30.14V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.22 грн
390+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.07 грн
100+ 11.06 грн
115+ 9.26 грн
310+ 8.81 грн
10000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.94 грн
40+ 10.49 грн
100+ 9.22 грн
115+ 7.72 грн
310+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 35
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.76 грн
14+ 20.08 грн
73+ 14.39 грн
200+ 13.67 грн
1000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
PJD16P06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+40.35 грн
12+ 33.42 грн
25+ 26 грн
48+ 18.28 грн
132+ 17.31 грн
3000+ 16.71 грн
12000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товар відсутній
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.91 грн
10+ 30.25 грн
25+ 17.8 грн
75+ 13.85 грн
207+ 13.04 грн
6000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.26 грн
16+ 24.28 грн
26+ 14.84 грн
75+ 11.54 грн
207+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.51 грн
10+ 31.75 грн
69+ 15.47 грн
188+ 14.66 грн
1000+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.93 грн
15+ 25.48 грн
69+ 12.89 грн
188+ 12.21 грн
1000+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 35W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.51 грн
10+ 31.19 грн
69+ 15.2 грн
190+ 14.39 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
PJD35P03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 35W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.93 грн
15+ 25.03 грн
69+ 12.66 грн
190+ 11.99 грн
1000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.26 грн
10+ 30.07 грн
49+ 21.58 грн
134+ 20.41 грн
1000+ 19.69 грн
3000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+44.38 грн
16+ 24.13 грн
49+ 17.98 грн
134+ 17.01 грн
1000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJDLC05_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
PJE138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 223mW
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.68 грн
50+ 5.85 грн
225+ 4.65 грн
620+ 4.39 грн
4000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
PJE138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 223mW
Polarisation: unipolar
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.57 грн
80+ 4.69 грн
225+ 3.87 грн
620+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; Features: ESD protection
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+30.66 грн
17+ 23.15 грн
25+ 17.83 грн
100+ 14.24 грн
164+ 5.32 грн
450+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; Features: ESD protection
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.8 грн
10+ 28.85 грн
25+ 21.4 грн
100+ 17.08 грн
164+ 6.38 грн
450+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2.8A
Mounting: SMD
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2.8A
Mounting: SMD
Case: SOT523
товар відсутній
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.14 грн
22+ 13.26 грн
100+ 8.36 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
4000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.6A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -2.4A
Mounting: SMD
Case: SOT523
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+21.79 грн
36+ 10.64 грн
100+ 6.97 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.56 грн
33+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT523
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
товар відсутній
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 160W
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товар відсутній
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
140+ 7.73 грн
375+ 7.28 грн
2500+ 7.19 грн
5000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
140+ 6.44 грн
375+ 6.07 грн
2500+ 5.99 грн
5000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.37 грн
390+ 7.01 грн
5000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.14 грн
390+ 5.84 грн
5000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.37 грн
390+ 7.01 грн
5000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.14 грн
390+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC24C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27.27÷30.14V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 27.27...30.14V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
30+ 10.36 грн
100+ 8.99 грн
145+ 7.46 грн
390+ 7.1 грн
5000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC24C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27.27÷30.14V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 27.27...30.14V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.14 грн
50+ 8.32 грн
100+ 7.49 грн
145+ 6.22 грн
390+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.07 грн
100+ 11.06 грн
115+ 9.26 грн
310+ 8.81 грн
10000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.94 грн
40+ 10.49 грн
100+ 9.22 грн
115+ 7.72 грн
310+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 35
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.76 грн
14+ 20.08 грн
73+ 14.39 грн
200+ 13.67 грн
1000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]