Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1270) > Сторінка 2 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM_R1_00001 PanJit Semiconductor 1SS417TM.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.1W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.14 грн
27+ 10.53 грн
37+ 7.27 грн
100+ 5.44 грн
250+ 4.66 грн
469+ 2.19 грн
1288+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM_R1_00001 PanJit Semiconductor 1SS417TM.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.1W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 5µA
на замовлення 39975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.45 грн
44+ 8.45 грн
61+ 6.05 грн
100+ 4.53 грн
250+ 3.88 грн
469+ 1.82 грн
1288+ 1.73 грн
8000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.45 грн
44+ 8.52 грн
100+ 4.35 грн
500+ 2.8 грн
512+ 1.67 грн
1409+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU_R1_000A2 PanJit Semiconductor 2N7002K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.14 грн
26+ 10.62 грн
100+ 5.22 грн
500+ 3.36 грн
512+ 2 грн
1409+ 1.89 грн
24000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KDW-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.83 грн
34+ 10.95 грн
100+ 4.56 грн
250+ 3.82 грн
308+ 2.78 грн
846+ 2.62 грн
3000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KDW-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+18.99 грн
21+ 13.64 грн
100+ 5.47 грн
250+ 4.59 грн
308+ 3.33 грн
846+ 3.15 грн
3000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 PanJit Semiconductor 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW_R1_00001 PanJit Semiconductor 2N7002KDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.55 грн
41+ 6.78 грн
100+ 3.4 грн
500+ 2.72 грн
699+ 1.46 грн
1921+ 1.38 грн
9000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002KW-AU_R1_000A1 2N7002KW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KW-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.24 грн
46+ 8.08 грн
100+ 4.67 грн
500+ 3.3 грн
512+ 1.67 грн
1409+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002KW-AU_R1_000A1 2N7002KW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor 2N7002KW-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.09 грн
28+ 10.07 грн
100+ 5.6 грн
500+ 3.96 грн
512+ 2 грн
1409+ 1.89 грн
99000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002K_R1_00001 2N7002K_R1_00001 PanJit Semiconductor 2N7002K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.12 грн
68+ 5.44 грн
130+ 2.84 грн
500+ 2.27 грн
699+ 1.22 грн
1921+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 56
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SB1197A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.09 грн
24+ 11.45 грн
100+ 9.88 грн
169+ 6.08 грн
465+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SB1197A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.24 грн
40+ 9.18 грн
100+ 8.23 грн
169+ 5.07 грн
465+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 28
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SD1781A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+27.47 грн
100+ 9.88 грн
167+ 6.17 грн
458+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SD1781A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
3.0SMCJ18A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 20÷23.3V; 102.8A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...23.3V
Max. forward impulse current: 102.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
3.0SMCJ18A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 20÷23.3V; 102.8A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...23.3V
Max. forward impulse current: 102.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: 3.0SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
3.0SMCJ33CA_R1_00001 3.0SMCJ33CA_R1_00001 PanJit Semiconductor 3.0SMCJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.7÷42.2V; 56.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 56.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
3.0SMCJ33CA_R1_00001 3.0SMCJ33CA_R1_00001 PanJit Semiconductor 3.0SMCJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.7÷42.2V; 56.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 56.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
ABS2MS_R2_00101 PanJit Semiconductor ABS2MS.pdf ABS2MS-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
AZ23C5V6_R1_00001 PanJit Semiconductor AZ23C2V4_SERIES.pdf AZ23C5V6-R1 SMD Zener diodes
товару немає в наявності
B10S_R2_00001 B10S_R2_00001 PanJit Semiconductor B1S_SERIES.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 0.8A; Ifsm: 35A; MDI
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MDI
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.23 грн
13+ 22.43 грн
100+ 14.11 грн
136+ 7.58 грн
372+ 7.23 грн
45000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
B10S_R2_00001 B10S_R2_00001 PanJit Semiconductor B1S_SERIES.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 0.8A; Ifsm: 35A; MDI
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MDI
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.7 грн
21+ 18 грн
100+ 11.76 грн
136+ 6.32 грн
372+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
B4S_R2_00001 PanJit Semiconductor B1S_SERIES.pdf B4S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.84 грн
164+ 6.35 грн
450+ 6 грн
45000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
B6S_R2_00001 PanJit Semiconductor B1S_SERIES.pdf B6S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.13 грн
169+ 6.08 грн
463+ 5.82 грн
9000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
B8S_R2_00001 PanJit Semiconductor B8S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+31.91 грн
169+ 6.08 грн
463+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAS100AS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS100AS-AU.pdf BAS100AS-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.91 грн
255+ 4.05 грн
702+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS100ATB6_R1_00001 BAS100ATB6_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS100ATB6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 100V; 0.4A; reel,tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.4A
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 65µA
Max. forward impulse current: 5.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
BAS100ATB6_R1_00001 BAS100ATB6_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS100ATB6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 100V; 0.4A; reel,tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.4A
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 65µA
Max. forward impulse current: 5.5A
товару немає в наявності
BAS100CS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS100CS-AU.pdf BAS100CS-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.52 грн
284+ 3.64 грн
779+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAS100CS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS100CS.pdf BAS100CS-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS16TS-AU_R1_000A1 BAS16TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS16TS-AU.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.91 грн
67+ 5.51 грн
122+ 3.03 грн
250+ 2.39 грн
500+ 2.02 грн
578+ 1.48 грн
1588+ 1.4 грн
5000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 50
BAS16TS-AU_R1_000A1 BAS16TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS16TS-AU.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.5 грн
40+ 6.87 грн
100+ 3.63 грн
250+ 2.87 грн
500+ 2.42 грн
578+ 1.77 грн
1588+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
BAS16TS_R1_00001 BAS16TS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16TS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+10.45 грн
35+ 7.87 грн
100+ 3.08 грн
250+ 2.31 грн
500+ 2.08 грн
660+ 1.55 грн
1816+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS16TS_R1_00001 BAS16TS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16TS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+8.7 грн
59+ 6.32 грн
144+ 2.56 грн
250+ 1.93 грн
500+ 1.73 грн
660+ 1.29 грн
1816+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 46
BAS16TW_R1_00001 BAS16TW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16TW_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 2.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+10.45 грн
32+ 8.7 грн
100+ 6.95 грн
250+ 5.56 грн
337+ 3.03 грн
926+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS16TW_R1_00001 BAS16TW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16TW_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 2.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+8.7 грн
53+ 6.98 грн
100+ 5.79 грн
250+ 4.64 грн
337+ 2.53 грн
926+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46
BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+5.74 грн
75+ 3.66 грн
125+ 2.12 грн
250+ 1.92 грн
500+ 1.77 грн
663+ 1.55 грн
1821+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS16_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
83+4.79 грн
125+ 2.94 грн
208+ 1.77 грн
250+ 1.6 грн
500+ 1.48 грн
663+ 1.29 грн
1821+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 83
BAS316_R1_00001 BAS316_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS316.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
64+4.51 грн
97+ 2.84 грн
158+ 1.68 грн
250+ 1.51 грн
500+ 1.39 грн
844+ 1.22 грн
2318+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 64
BAS316_R1_00001 BAS316_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS316.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
106+3.76 грн
162+ 2.28 грн
264+ 1.4 грн
293+ 1.26 грн
500+ 1.16 грн
844+ 1.01 грн
2318+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 106
BAS40SDW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS40TW-AU_SERIES.pdf BAS40SDW-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.63 грн
255+ 4.05 грн
702+ 3.83 грн
24000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
BAS40SDW_R1_00001 BAS40SDW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS40TW_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT363; reel,tape; 225mW
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.69 грн
18+ 15.66 грн
25+ 12.17 грн
100+ 6.28 грн
250+ 5.11 грн
281+ 3.67 грн
771+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAS40SDW_R1_00001 BAS40SDW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS40TW_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT363; reel,tape; 225mW
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 1µA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.57 грн
30+ 12.56 грн
37+ 10.14 грн
100+ 5.23 грн
250+ 4.25 грн
281+ 3.06 грн
771+ 2.89 грн
3000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS40S_R1_00001 BAS40S_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS40_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
39+7.31 грн
59+ 4.67 грн
100+ 2.71 грн
250+ 2.44 грн
500+ 2.26 грн
519+ 1.98 грн
1428+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 39
BAS40S_R1_00001 BAS40S_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS40_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.09 грн
99+ 3.75 грн
163+ 2.26 грн
250+ 2.04 грн
500+ 1.88 грн
519+ 1.65 грн
1428+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 65
BAS40TS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS40TS.pdf BAS40TS-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS70A-AU_R1_000A1 BAS70A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS70-AU_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.24 грн
43+ 8.74 грн
64+ 5.79 грн
106+ 3.49 грн
250+ 2.88 грн
493+ 1.73 грн
1353+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS70A-AU_R1_000A1 BAS70A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS70-AU_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.09 грн
26+ 10.9 грн
39+ 6.95 грн
100+ 4.19 грн
250+ 3.46 грн
493+ 2.07 грн
1353+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
BAS70S-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor BAS70-AU_SERIES.pdf BAS70S-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
51+5.62 грн
466+ 2.21 грн
1283+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 51
BAS70SDW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS70TW_SERIES.pdf BAS70SDW-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS70TW_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS70TW_SERIES.pdf BAS70TW-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.69 грн
271+ 3.82 грн
744+ 3.61 грн
9000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
BAS70WS_R1_00001 BAS70WS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS70WS.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOD323; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
49+5.89 грн
72+ 3.85 грн
103+ 2.59 грн
250+ 2.48 грн
470+ 2.2 грн
1000+ 2.08 грн
1293+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 49
BAS70WS_R1_00001 BAS70WS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAS70WS.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOD323; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
81+4.91 грн
120+ 3.09 грн
171+ 2.16 грн
250+ 2.06 грн
470+ 1.83 грн
1000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 81
BAT42W_R1_00001 BAT42W_R1_00001 PanJit Semiconductor BAT42W_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD123; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
61+4.7 грн
75+ 3.66 грн
100+ 3.13 грн
250+ 2.96 грн
396+ 2.59 грн
1000+ 2.54 грн
1088+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 61
BAT42WS_R1_00001 BAT42WS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAT42WS_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.4 грн
51+ 5.4 грн
100+ 3.51 грн
250+ 2.8 грн
435+ 2.36 грн
1000+ 2.23 грн
5000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 34
BAT42WS_R1_00001 BAT42WS_R1_00001 PanJit Semiconductor BAT42WS_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
57+7 грн
85+ 4.34 грн
126+ 2.92 грн
250+ 2.34 грн
435+ 1.97 грн
1000+ 1.86 грн
5000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 57
BAT42W_R1_00001 BAT42W_R1_00001 PanJit Semiconductor BAT42W_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD123; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
102+3.92 грн
125+ 2.94 грн
141+ 2.61 грн
250+ 2.47 грн
396+ 2.16 грн
1000+ 2.12 грн
1088+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 102
BAT43W_R1_00001 BAT43W_R1_00001 PanJit Semiconductor BAT42W_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.55 грн
45+ 6.13 грн
100+ 4.23 грн
250+ 3.55 грн
396+ 2.59 грн
1000+ 2.54 грн
1088+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM.pdf
1SS417TM_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.1W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.14 грн
27+ 10.53 грн
37+ 7.27 грн
100+ 5.44 грн
250+ 4.66 грн
469+ 2.19 грн
1288+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM.pdf
1SS417TM_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.1W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 5µA
на замовлення 39975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.45 грн
44+ 8.45 грн
61+ 6.05 грн
100+ 4.53 грн
250+ 3.88 грн
469+ 1.82 грн
1288+ 1.73 грн
8000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.45 грн
44+ 8.52 грн
100+ 4.35 грн
500+ 2.8 грн
512+ 1.67 грн
1409+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N7002K-AU_R1_000A2 2N7002K-AU.pdf
2N7002K-AU_R1_000A2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.14 грн
26+ 10.62 грн
100+ 5.22 грн
500+ 3.36 грн
512+ 2 грн
1409+ 1.89 грн
24000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+15.83 грн
34+ 10.95 грн
100+ 4.56 грн
250+ 3.82 грн
308+ 2.78 грн
846+ 2.62 грн
3000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N7002KDW-AU_R1_000A1 2N7002KDW-AU.pdf
2N7002KDW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.99 грн
21+ 13.64 грн
100+ 5.47 грн
250+ 4.59 грн
308+ 3.33 грн
846+ 3.15 грн
3000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2N7002KDW_R1_00001 2N7002KDW.pdf
2N7002KDW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
2N7002K_R1_00001 2N7002K.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.55 грн
41+ 6.78 грн
100+ 3.4 грн
500+ 2.72 грн
699+ 1.46 грн
1921+ 1.38 грн
9000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 34
2N7002KW-AU_R1_000A1 2N7002KW-AU.pdf
2N7002KW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.24 грн
46+ 8.08 грн
100+ 4.67 грн
500+ 3.3 грн
512+ 1.67 грн
1409+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N7002KW-AU_R1_000A1 2N7002KW-AU.pdf
2N7002KW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.09 грн
28+ 10.07 грн
100+ 5.6 грн
500+ 3.96 грн
512+ 2 грн
1409+ 1.89 грн
99000+ 1.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7002K_R1_00001 2N7002K.pdf
2N7002K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+7.12 грн
68+ 5.44 грн
130+ 2.84 грн
500+ 2.27 грн
699+ 1.22 грн
1921+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 56
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.09 грн
24+ 11.45 грн
100+ 9.88 грн
169+ 6.08 грн
465+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.24 грн
40+ 9.18 грн
100+ 8.23 грн
169+ 5.07 грн
465+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 28
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.47 грн
100+ 9.88 грн
167+ 6.17 грн
458+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
3.0SMCJ18A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 20÷23.3V; 102.8A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...23.3V
Max. forward impulse current: 102.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
3.0SMCJ18A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 20÷23.3V; 102.8A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 18V
Breakdown voltage: 20...23.3V
Max. forward impulse current: 102.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Manufacturer series: 3.0SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
3.0SMCJ33CA_R1_00001 3.0SMCJ_SERIES.pdf
3.0SMCJ33CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.7÷42.2V; 56.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 56.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
3.0SMCJ33CA_R1_00001 3.0SMCJ_SERIES.pdf
3.0SMCJ33CA_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.7÷42.2V; 56.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...42.2V
Max. forward impulse current: 56.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
ABS2MS_R2_00101 ABS2MS.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
ABS2MS-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
AZ23C5V6_R1_00001 AZ23C2V4_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
AZ23C5V6-R1 SMD Zener diodes
товару немає в наявності
B10S_R2_00001 B1S_SERIES.pdf
B10S_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 0.8A; Ifsm: 35A; MDI
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MDI
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.23 грн
13+ 22.43 грн
100+ 14.11 грн
136+ 7.58 грн
372+ 7.23 грн
45000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
B10S_R2_00001 B1S_SERIES.pdf
B10S_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 0.8A; Ifsm: 35A; MDI
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MDI
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.7 грн
21+ 18 грн
100+ 11.76 грн
136+ 6.32 грн
372+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
B4S_R2_00001 B1S_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
B4S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.84 грн
164+ 6.35 грн
450+ 6 грн
45000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
B6S_R2_00001 B1S_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
B6S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.13 грн
169+ 6.08 грн
463+ 5.82 грн
9000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
B8S_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
B8S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.91 грн
169+ 6.08 грн
463+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAS100AS-AU_R1_000A1 BAS100AS-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS100AS-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.91 грн
255+ 4.05 грн
702+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS100ATB6_R1_00001 BAS100ATB6.pdf
BAS100ATB6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 100V; 0.4A; reel,tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.4A
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 65µA
Max. forward impulse current: 5.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
BAS100ATB6_R1_00001 BAS100ATB6.pdf
BAS100ATB6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 100V; 0.4A; reel,tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 100V
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.4A
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 0.5A
Leakage current: 65µA
Max. forward impulse current: 5.5A
товару немає в наявності
BAS100CS-AU_R1_000A1 BAS100CS-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS100CS-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.52 грн
284+ 3.64 грн
779+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAS100CS_R1_00001 BAS100CS.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS100CS-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS16TS-AU_R1_000A1 BAS16TS-AU.pdf
BAS16TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+7.91 грн
67+ 5.51 грн
122+ 3.03 грн
250+ 2.39 грн
500+ 2.02 грн
578+ 1.48 грн
1588+ 1.4 грн
5000+ 1.34 грн
Мінімальне замовлення: 50
BAS16TS-AU_R1_000A1 BAS16TS-AU.pdf
BAS16TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+9.5 грн
40+ 6.87 грн
100+ 3.63 грн
250+ 2.87 грн
500+ 2.42 грн
578+ 1.77 грн
1588+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
BAS16TS_R1_00001 BAS16TS.pdf
BAS16TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+10.45 грн
35+ 7.87 грн
100+ 3.08 грн
250+ 2.31 грн
500+ 2.08 грн
660+ 1.55 грн
1816+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS16TS_R1_00001 BAS16TS.pdf
BAS16TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.125A; 6ns; SOD523; Ufmax: 0.855V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.855V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+8.7 грн
59+ 6.32 грн
144+ 2.56 грн
250+ 1.93 грн
500+ 1.73 грн
660+ 1.29 грн
1816+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 46
BAS16TW_R1_00001 BAS16TW_SERIES.pdf
BAS16TW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 2.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+10.45 грн
32+ 8.7 грн
100+ 6.95 грн
250+ 5.56 грн
337+ 3.03 грн
926+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS16TW_R1_00001 BAS16TW_SERIES.pdf
BAS16TW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 2.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+8.7 грн
53+ 6.98 грн
100+ 5.79 грн
250+ 4.64 грн
337+ 2.53 грн
926+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46
BAS21_R1_00001 BAS16_SERIES.pdf
BAS21_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+5.74 грн
75+ 3.66 грн
125+ 2.12 грн
250+ 1.92 грн
500+ 1.77 грн
663+ 1.55 грн
1821+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
BAS21_R1_00001 BAS16_SERIES.pdf
BAS21_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
83+4.79 грн
125+ 2.94 грн
208+ 1.77 грн
250+ 1.6 грн
500+ 1.48 грн
663+ 1.29 грн
1821+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 83
BAS316_R1_00001 BAS316.pdf
BAS316_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+4.51 грн
97+ 2.84 грн
158+ 1.68 грн
250+ 1.51 грн
500+ 1.39 грн
844+ 1.22 грн
2318+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 64
BAS316_R1_00001 BAS316.pdf
BAS316_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+3.76 грн
162+ 2.28 грн
264+ 1.4 грн
293+ 1.26 грн
500+ 1.16 грн
844+ 1.01 грн
2318+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 106
BAS40SDW-AU_R1_000A1 BAS40TW-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS40SDW-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.63 грн
255+ 4.05 грн
702+ 3.83 грн
24000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
BAS40SDW_R1_00001 BAS40TW_SERIES.pdf
BAS40SDW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT363; reel,tape; 225mW
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.69 грн
18+ 15.66 грн
25+ 12.17 грн
100+ 6.28 грн
250+ 5.11 грн
281+ 3.67 грн
771+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BAS40SDW_R1_00001 BAS40TW_SERIES.pdf
BAS40SDW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT363; reel,tape; 225mW
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Max. forward impulse current: 0.6A
Leakage current: 1µA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.57 грн
30+ 12.56 грн
37+ 10.14 грн
100+ 5.23 грн
250+ 4.25 грн
281+ 3.06 грн
771+ 2.89 грн
3000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS40S_R1_00001 BAS40_SERIES.pdf
BAS40S_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+7.31 грн
59+ 4.67 грн
100+ 2.71 грн
250+ 2.44 грн
500+ 2.26 грн
519+ 1.98 грн
1428+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 39
BAS40S_R1_00001 BAS40_SERIES.pdf
BAS40S_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.2A; SOT23; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+6.09 грн
99+ 3.75 грн
163+ 2.26 грн
250+ 2.04 грн
500+ 1.88 грн
519+ 1.65 грн
1428+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 65
BAS40TS_R1_00001 BAS40TS.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS40TS-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS70A-AU_R1_000A1 BAS70-AU_SERIES.pdf
BAS70A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.24 грн
43+ 8.74 грн
64+ 5.79 грн
106+ 3.49 грн
250+ 2.88 грн
493+ 1.73 грн
1353+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAS70A-AU_R1_000A1 BAS70-AU_SERIES.pdf
BAS70A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.09 грн
26+ 10.9 грн
39+ 6.95 грн
100+ 4.19 грн
250+ 3.46 грн
493+ 2.07 грн
1353+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
BAS70S-AU_R1_000A1 BAS70-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS70S-AU-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+5.62 грн
466+ 2.21 грн
1283+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 51
BAS70SDW_R1_00001 BAS70TW_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS70SDW-R1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
BAS70TW_R1_00001 BAS70TW_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
BAS70TW-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+9.69 грн
271+ 3.82 грн
744+ 3.61 грн
9000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
BAS70WS_R1_00001 BAS70WS.pdf
BAS70WS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOD323; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+5.89 грн
72+ 3.85 грн
103+ 2.59 грн
250+ 2.48 грн
470+ 2.2 грн
1000+ 2.08 грн
1293+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 49
BAS70WS_R1_00001 BAS70WS.pdf
BAS70WS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 0.2A; SOD323; reel,tape; 225mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+4.91 грн
120+ 3.09 грн
171+ 2.16 грн
250+ 2.06 грн
470+ 1.83 грн
1000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 81
BAT42W_R1_00001 BAT42W_SERIES.pdf
BAT42W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD123; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+4.7 грн
75+ 3.66 грн
100+ 3.13 грн
250+ 2.96 грн
396+ 2.59 грн
1000+ 2.54 грн
1088+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 61
BAT42WS_R1_00001 BAT42WS_SERIES.pdf
BAT42WS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.4 грн
51+ 5.4 грн
100+ 3.51 грн
250+ 2.8 грн
435+ 2.36 грн
1000+ 2.23 грн
5000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 34
BAT42WS_R1_00001 BAT42WS_SERIES.pdf
BAT42WS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD323; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+7 грн
85+ 4.34 грн
126+ 2.92 грн
250+ 2.34 грн
435+ 1.97 грн
1000+ 1.86 грн
5000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 57
BAT42W_R1_00001 BAT42W_SERIES.pdf
BAT42W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 0.2A; SOD123; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+3.92 грн
125+ 2.94 грн
141+ 2.61 грн
250+ 2.47 грн
396+ 2.16 грн
1000+ 2.12 грн
1088+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 102
BAT43W_R1_00001 BAT42W_SERIES.pdf
BAT43W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD123; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.55 грн
45+ 6.13 грн
100+ 4.23 грн
250+ 3.55 грн
396+ 2.59 грн
1000+ 2.54 грн
1088+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 34
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]